[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

半导体封装件包括：衬底；第一介电层，位于衬底上方；第一接合焊盘和第二接合焊盘，位于第一介电层上方，第一接合焊盘具有面向第二接合焊盘的第一侧壁；第二介电层，位于第一接合焊盘和第二接合焊盘上方；以及开口，穿过第二介电层并且从第一接合焊盘延伸至第二接合焊盘，开口包括位于第一接合焊盘上方并且暴露第一接合焊盘的第一区域，其中，在顶视图中，开口暴露第一侧壁的设置在与第一侧壁相交的第一区域的第一边缘和第二边缘之间的第一段，其中，第一侧壁的第一段位于第一侧壁的第二段和第三段之间，第二段由第二介电层覆盖。本申请的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。

背景技术

作为实例，半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿划线锯切集成电路分割单个管芯。例如，然后在多芯片模块或其它类型的封装中分别封装单个管芯。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区域中。随着先进半导体制造节点中部件尺寸的继续缩小，出现了必须解决的新挑战。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种半导体封装件，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；第一接合焊盘和第二接合焊盘，设置在所述第一介电层上方，所述第一接合焊盘具有面向所述第二接合焊盘的第一侧壁；第二介电层，位于所述第一接合焊盘、所述第二接合焊盘和所述第一介电层上方；以及开口，位于所述第二介电层中，其中，在顶视图中，所述开口包括：第一区域，位于所述第一接合焊盘的第一部分上方并且暴露所述第一接合焊盘的第一部分；第二区域，位于所述第二接合焊盘的第二部分上方并且暴露所述第二接合焊盘的第二部分；以及第三区域，位于所述第一区域和所述第二区域之间，所述第三区域暴露所述第一介电层的部分，其中，沿平行于所述第一接合焊盘的所述第一侧壁的第一方向测量的所述第三区域的第三长度大于沿所述第一方向测量的所述第一区域的第一长度，其中，所述第一接合焊盘的所述第一侧壁的第一部分由所述开口暴露，并且所述第一侧壁的第二部分由所述第二介电层覆盖。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体封装件，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；第一接合焊盘和第二接合焊盘，位于所述第一介电层上方，其中，所述第一接合焊盘具有面向所述第二接合焊盘的第一侧壁；第二介电层，位于所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘上方；以及开口，穿过所述第二介电层，其中，所述开口从所述第一接合焊盘延伸至所述第二接合焊盘，其中，所述开口包括位于所述第一接合焊盘上方并且暴露所述第一接合焊盘的第一区域，其中，在顶视图中，所述开口暴露所述第一接合焊盘的所述第一侧壁的第一段，所述第一侧壁的所述第一段位于所述第一区域的第一边缘和所述第一区域的第二边缘之间，所述第一边缘和所述第二边缘与所述第一侧壁相交，其中，所述第一侧壁的所述第一段位于所述第一侧壁的第二段和所述第一侧壁的第三段之间，其中，所述第一侧壁的所述第二段由所述第二介电层覆盖。

本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成第一接合焊盘和第二接合焊盘；在所述第一接合焊盘、所述第二接合焊盘和所述第一介电层上方形成第二介电层；以及在所述第二介电层中形成开口以部分暴露所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘，其中，所述开口形成为包括：第一区域，位于所述第一接合焊盘上方并且部分暴露所述第一接合焊盘；第二区域，位于所述第二接合焊盘上方并且部分暴露所述第二接合焊盘；以及第三区域，位于所述第一区域和所述第二区域之间，所述第三区域暴露所述第一介电层的部分，其中，所述开口暴露面向所述第二接合焊盘的所述第一接合焊盘的第一侧壁的第一部分，并且所述第一侧壁的第二部分由所述第二介电层覆盖。

附图说明