[发明专利]显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 202110185036.1 | 申请日: | 2021-02-10 |
| 公开(公告)号: | CN112951849B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
| 发明(设计)人: | 覃黎君;胡鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/131;H01L21/84;G02F1/1333;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志军 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区以及设置于所述显示区一侧的非显示区,所述非显示区内设有弯折区和绑定区,所述弯折区被配置为所述显示区与所述绑定区之间,所述弯折区包括:
基板层;
金属走线层,设置于所述基板层上;以及
第一平坦化层,设置于所述金属走线层上;
其中,所述基板层远离所述金属走线层的表面上设有凹槽,所述凹槽的槽壁沿曲面或平面延伸至连接于所述凹槽的槽底,并使得所述凹槽的槽底在所述基板层上的正投影落入所述凹槽的槽口在所述基板层上的正投影区域的内部,且所述弯折区包括弯折部,所述弯折部设置于所述凹槽的槽底对应的区域内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的槽口在所述基板层上的正投影边界超出所述凹槽的槽底在所述基板层上的正投影边界的距离与所述凹槽深度的比值大于等于10:1。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的槽壁与槽底之间通过圆角过渡连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述弯折区还包括支撑层,设置于所述基板层远离所述金属走线层的一侧,所述支撑层与所述凹槽相对应的位置处设有开口腔,所述开口腔的腔口在所述基板层上的正投影覆盖所述凹槽的槽口在所述基板层上的正投影。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述开口腔的腔壁为由所述凹槽内至外方向倾斜的斜面。
6.根据权利要求1至5任一项中所述的显示面板,其特征在于,所述基板层包括层叠设置的第一有机层、无机层以及第二有机层,其中,所述第一有机层设置于远离所述金属走线层的一侧,且所述凹槽设置于所述第一有机层远离所述金属走线层的一侧。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的深度与所述第一有机层的厚度的比值为(0.4-0.5):1。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
提供一基板层,在所述基板层上预定义显示区以及位于显示区一侧的非显示区,在所述非显示区内预定义弯折区和绑定区,所述弯折区被预定义为所述显示区与所述绑定区之间,所述弯折区包括弯折部;
在所述弯折区的所述基板层上制备形成金属走线层;
在所述金属走线层上制备形成第一平坦化层;
提供一支撑层,对所述支撑层进行预切割;
将完成预切割的所述支撑层贴附于所述弯折区的所述基板层远离所述金属走线层的一侧上,然后剥离预切割位置处的支撑层材料以形成开口腔,所述弯折区的所述基板层部分裸露于所述开口腔;以及
对裸露于所述开口腔的所述基板层进行薄化处理以形成凹槽;
其中,所述凹槽的槽壁沿曲面或平面延伸至连接于所述凹槽的槽底,并使得所述凹槽的槽底在所述基板层上的正投影落入所述凹槽的槽口在所述基板层上的正投影区域的内部;所述开口腔的腔口在所述基板层上的正投影覆盖所述凹槽的槽口在所述基板层上的正投影,且所述弯折部设置于所述凹槽的槽底对应的区域内。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述薄化处理是采用激光工艺进行,其中,激光波长为340纳米至360纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





