[发明专利]一种SAW-BAW混合谐振器

权利要求书

1.一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，包括依次排列的第一电极层、第一压电薄膜层、第二压电薄膜层、第二电极层以及衬底层；

所述第一电极层与第一压电薄膜层在衬底层上的正投影重合，第二压电薄膜层与第二电极层在衬底层上的正投影重合；

所述第一电极层与第一压电薄膜层组成的整体周期性且等间隔的布置在所述第二压电薄膜层上；

所述第二压电薄膜层的压电耦合常数比第一压电薄膜层的更低且其声阻抗比第一压电薄膜层的更高。

2.根据权利要求1所述的一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层的材质相同或不同，其为Pt、Au、Mo、W、Al、Cu金属单质或金属合金，或者上述材料的任意组合；

所述第一电极层在衬底层上的正投影位于第二电极层在衬底层上的正投影内。

3.根据权利要求2所述的一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层的标准化电极厚度h_e均满足：0.02λ≤h_e≤0.2λ，λ为声表面波波长。

4.根据权利要求1所述的一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，所述第一压电薄膜层为掺钪氮化铝薄膜，掺钪氮化铝薄膜中钪的掺杂摩尔百分比为10％～40％；

所述第二压电薄膜层为氮化铝薄膜。

5.根据权利要求4所述的一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，所述第一压电薄膜层的薄膜标准化厚度d及第一压电薄膜层和第二压电薄膜层的标准化厚度之和h满足如下关系：

0≤d≤0.9λ；

0.1λ≤h≤0.9λ；

0≤ratio≤1，ratio＝d/h；

其中，λ为声表面波波长。

6.根据权利要求1所述的一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，还包括位于第二电极层与衬底层之间的声学反射层；

所述声学反射层包括低声阻抗层和高声阻抗层；

所述低声阻抗层的声速小于高声阻抗层的声速，低声阻抗层相比于高声阻抗层更靠近第二电极层。

7.根据权利要求6所述的一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，所述低声阻抗层为SiO₂膜、SiON膜或Ta₂O₅膜；所述高声阻抗层为AlN膜、Sapphire膜、SiN膜、Mo膜或Pt膜。

8.根据权利要求7所述的一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，所述低声阻抗层为SiO₂膜，所述SiO₂膜的标准化厚度h_SiO2满足如下关系：0.1λ≤h_SiO2≤λ，λ为声表面波波长。

9.根据权利要求6所述的一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，所述高声阻抗层为AlN膜，所述AlN膜的标准化厚度h_AlN满足如下关系：0.1λ≤h_AlN≤λ，λ为声表面波波长。

10.根据权利要求1所述的一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，所述衬底层的材质为硅、蓝宝石或石英。