[发明专利]一种异形曲面MRI图像增强超构表面器件在审
申请号: | 202110183942.8 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN114910849A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 赵乾;池中海;孟永钢;郑卓肇 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京清华长庚医院 |
主分类号: | G01R33/34 | 分类号: | G01R33/34;G01R33/44 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 魏朋 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 异形 曲面 mri 图像 增强 表面 器件 | ||
1.一种曲面磁场增强器件,其特征在于,包括:
柔性支撑体(500),所述柔性支撑体(500)能够弯折为曲面;
多个磁场增强组件(10),平行间隔设置于所述柔性支撑体(500),每个所述磁场增强组件(10)包括第一电连接端(911)和第二电连接端(912),所述第一电连接端(911)和所述第二电连接端(912)之间连接有串联连接的结构电容和电感结构;
第一导电片(510),分别与所述多个磁场增强组件(10)的所述第一电连接端(911)连接;
第二导电片(520),分别与所述多个磁场增强组件(10)的所述第二电连接端(912)连接,所述曲面磁场增强器件(20)的谐振频率等于目标频率。
2.如权利要求1所述的曲面磁场增强器件,其特征在于,所述曲面磁场增强器件(20)边缘的所述磁场增强组件(10)中的电感结构的电感值大于所述曲面磁场增强器件(20)中部的所述磁场增强组件(10)中的电感结构的电感值。
3.如权利要求1所述的曲面磁场增强器件,其特征在于,还包括:
输出匹配电路(640),所述输出匹配电路(640)与所述第一电连接端(911)连接,所述输出匹配电路(640)还用于与信号采集装置连接,所述输出匹配电路(640)用于调节所述信号采集装置的阻抗值和谐振频率。
4.如权利要求3所述的曲面磁场增强器件,其特征在于,所述输出匹配电路(640)还包括:
匹配电容(641),所述匹配电容(641)的一端与所述第一电连接端(911)的正极连接;
调谐电容(642),所述调谐电容(642)连接于所述匹配电容(641)的另一端与所述第一电连接端(911)的负极之间;
输出接口(643),所述输出接口(643)与所述调谐电容(642)并联连接,所述输出接口(643)用于与所述信号采集装置连接。
5.如权利要求4所述的曲面磁场增强器件,其特征在于,还包括:
第二开关电路(650),所述第二开关电路(650)包括反向串联的第一耗尽型MOS管(652)和第二耗尽型MOS管(653),所述第一耗尽型MOS管(652)的栅极和漏极与所述匹配电容(641)远离所述调谐电容(642)的一端连接,所述第一耗尽型MOS管(652)的源极与所述第二耗尽型MOS管(653)的源极连接,所述第二耗尽型MOS管(653)的栅极和漏极与所述第一电连接端(911)的正极连接,所述第一耗尽型MOS管(652)和所述第二耗尽型MOS管(653)用于在射频接收阶段交替导通,所述第一耗尽型MOS管(652)和所述第二耗尽型MOS管(653)用于在射频发射阶段断路。
6.如权利要求4所述的曲面磁场增强器件,其特征在于,所述输出匹配电路(640)与位于所述曲面磁场增强器件(20)的中部的所述磁场增强组件(10)连接。
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