[发明专利]磁场增强组件和磁场增强器件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，包括相对的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)；

第二电极层(120)和第四电极层(140)，间隔设置于所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)分别与所述第二电极层(120)和所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分；

第二外接电容(442)、第三外接电容(443)和第二开关控制电路(450)，所述第三外接电容(443)的一端与所述第二电极层(120)连接，所述第三外接电容(443)的另一端分别与所述第二外接电容(442)的一端和所述第二开关控制电路(450)的一端连接；

所述第二外接电容(442)的另一端和所述第二开关控制电路(450)的另一端分别与所述第一电极层(110)连接；

所述第二开关控制电路(450)用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二开关控制电路(450)包括：

第三二极管(451)，所述第三二极管(451)的阳极与所述第一电极层(110)连接；

第四二极管(452)，所述第四二极管(452)的阴极与所述第一电极层(110)连接；

所述第三外接电容(443)的一端与所述第二电极层(120)连接，所述第三外接电容(443)的另一端分别与所述第三二极管(451)的阴极、所述第四二极管(452)的阳极和所述第二外接电容(442)一端连接；

所述第二外接电容(442)的另一端与所述第一电极层(110)连接。

3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二开关控制电路(450)包括：

第三增强型MOS管(453)，所述第三增强型MOS管(453)的漏极与所述第一电极层(110)连接，所述第三增强型MOS管的栅极(453)与所述第一电极层(110)连接；

第四增强型MOS管(454)，所述第四增强型MOS管(454)的源极与所述第一电极层(110)连接；

所述第三外接电容(443)的一端与所述第二电极层(120)连接，所述第三外接电容(443)的另一端分别与所述第三增强型MOS管(453)的源极、所述第四增强型MOS管(454)的漏极、所述第四增强型MOS管(454)的栅极和所述第二外接电容(442)的一端连接；

所述第二外接电容(442)的另一端与所述第一电极层(110)连接。

4.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二开关控制电路(450)的一端连接于所述第二电极层(120)和所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分的位置，所述第二开关控制电路(450)的另一端连接于所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分的位置。

5.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，包括相对设置的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，所述第一电极层(110)覆盖部分所述第一表面(101)；

第二电极层(120)，设置于所述第二表面(102)，所述第二电极层(120)覆盖部分所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠形成第一结构电容(150)；

第二外接电容(442)、第三外接电容(443)和第二开关控制电路(450)，所述第三外接电容(443)的一端与所述第二电极层(120)连接，所述第三外接电容(443)的另一端分别与所述第二外接电容(442)的一端和所述第二开关控制电路(450)的一端连接；

所述第二外接电容(442)的另一端和所述第二开关控制电路(450)的另一端分别与所述第一电极层(110)连接；

所述第二开关控制电路(450)用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。