[发明专利]磁场增强组件及磁场增强器件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，具有相对的第一端(103)和第二端(104)，并包括相对的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，并沿所述第一端(103)向所述第二端(104)延伸，所述第一电极层(110)包括第一子电极层(111)、第二子电极层(112)和一个第一连接层(190)，所述第一子电极层(111)和所述第二子电极层(112)宽度相同并相对间隔设置，所述第一连接层(190)的一端与所述第一子电极层(111)连接，所述第一连接层(190)的另一端与所述第二子电极层(112)连接，所述第一连接层(190)的宽度小于所述第一子电极层(111)的宽度；

第二电极层(120)和第三电极层(130)，相对间隔设置于所述第二表面(102)，所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第一子电极层(111)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第二电极层(120)、所述第一电介质层(100)和所述第一子电极层(111)构成第二结构电容(302)，所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二子电极层(112)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第三电极层(130)、所述第一电介质层(100)和所述第二子电极层(112)构成第三结构电容(303)。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一连接层(190)的宽度是所述第一子电极层(111)的宽度的1/5至1/2。

3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一连接层(190)的延伸方向与第一方向的夹角为锐角或钝角，所述第一方向由所述第一端(103)指向所述第二端(104)。

4.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一连接层(190)的侧壁与所述第一子电极层(111)的侧壁的相交处设置为弧形倒角。

5.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)还包括第二连接层(191)，所述第二连接层(191)设置于所述第一表面(101)，所述第二连接层(191)的宽度小于所述第一子电极层(111)的宽度，所述第二连接层(191)与所述第一连接层(190)平行间隔设置，且所述第一连接层(190)与所述第二连接层(191)并联连接于所述第一子电极层(111)和所述第二子电极层(112)之间。

6.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一连接层(190)的延伸方向与所述第二连接层(191)的延伸方向的夹角为锐角或钝角。

7.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)还包括第二连接层(191)，所述第二连接层(191)设置于所述第一表面(101)，所述第二连接层(191)的宽度小于所述第一子电极层(111)的宽度，所述第一子电极层(111)、所述第一连接层(190)、所述第二连接层(191)和所述第二子电极层(112)沿所述第一电介质层(100)延伸的方向顺次排布，所述第二连接层(191)与所述第二子电极层(112)连接；

所述磁场增强组件(10)还包括第二谐振调节电路(410)，所述第二谐振调节电路(410)的一端与所述第一连接层(190)连接，所述第二谐振调节电路(410)的另一端与所述第二连接层(191)连接。

8.如权利要求7所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二谐振调节电路(410)包括电容，所述电容的一端与所述第一连接层(190)连接，所述电容的另一端与所述第二连接层(191)连接。