[发明专利]磁场增强组件和磁场增强器件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，包括相对的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)；

第二电极层(120)和第四电极层(140)，间隔设置于所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影分别与所述第二电极层(120)和所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分；

第四外接电容(444)，所述第四外接电容(444)的两端分别与所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)连接；

第五外接电容(445)和第三开关控制电路(460)，所述第五外接电容(445)的一端与所述第二电极层(120)连接，所述第五外接电容(445)的另一端与所述第三开关控制电路(460)的一端连接，所述第三开关控制电路(460)的另一端与所述第一电极层(110)连接，所述第三开关控制电路(460)用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三开关控制电路(460)包括：

第五二极管(461)，所述第五二极管(461)的阳极与所述第一电极层(110)连接；

第六二极管(462)，所述第六二极管(462)的阴极与所述第一电极层(110)连接；以及

所述第五外接电容(445)的一端连接所述第二电极层(120)，所述第五外接电容(445)的另一端分别连接所述第五二极管(461)的阴极和所述第六二极管(462)的阳极。

3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三开关控制电路(460)包括：

第五增强型MOS管(463)，所述第五增强型MOS管(463)的漏极与所述第一电极层(110)连接，所述第五增强型MOS管(463)的栅极与所述第一电极层(110)连接；

第六增强型MOS管(464)，所述第六增强型MOS管(464)的源极与所述第一电极层(110)连接；

所述第五外接电容(445)的一端与所述第五增强型MOS管(463)的源极连接，所述第五外接电容(445)的另一端分别与所述第六增强型MOS管(464)的漏极和所述第六增强型MOS管(464)的栅极连接。

4.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三开关控制电路(460)的一端连接于所述第二电极层(120)和所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分的位置，所述第三开关控制电路(460)的另一端连接于所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分的位置。

5.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，包括相对设置的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，所述第一电极层(110)覆盖部分所述第一表面(101)；

第二电极层(120)，设置于所述第二表面(102)，所述第二电极层(120)覆盖部分所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠形成第一结构电容(150)；

第四外接电容(444)，所述第四外接电容(444)的两端分别连接所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)；

第五外接电容(445)和第三开关控制电路(460)，串联于所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)之间，所述第三开关控制电路(460)用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。