[发明专利]磁场增强组件及磁场增强器件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，具有相对的第一端(103)和第二端(104)，并包括相对的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，并从所述第一端(103)延伸至所述第二端(104)；

第二电极层(120)和第三电极层(130)，相对间隔设置于所述第二表面(102)，所述第二电极层(120)靠近所述第一端(103)设置，所述第三电极层(130)靠近所述第二端(104)设置；

所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第一电极层(110)靠近所述第一端(103)的部分在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第二电极层(120)、所述第一电介质层(100)和所述第一电极层(110)靠近所述第一端(103)的部分构成第二结构电容(302)，所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第一电极层(110)靠近所述第二端(104)的部分在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第三电极层(130)、所述第一电介质层(100)和所述第一电极层(110)靠近所述第二端(104)的部分构成第三结构电容(303)；

输出匹配电路(640)，所述输出匹配电路(640)的一端与所述第一电极层(110)靠近所述第一端(103)的部分连接，所述输出匹配电路(640)的另一端与所述第二电极层(120)连接，所述输出匹配电路(640)还用于与信号采集装置连接，所述输出匹配电路(640)用于调节所述信号采集装置两端的阻抗值和谐振频率。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述输出匹配电路(640)包括：

匹配电容(641)，所述匹配电容(641)的一端与所述第一电极层(110)靠近所述第一端(103)的部分连接；

调谐电容(642)，所述调谐电容(642)连接于所述匹配电容(641)的另一端与所述第二电极层(120)之间；

输出接口(643)，所述输出接口(643)与所述调谐电容(642)并联连接，所述输出接口(643)用于与信号采集装置连接。

3.如权利要求2所述的磁场增强组件，其特征在于，还包括：

第二开关电路(650)，所述第二开关电路(650)连接于所述输出匹配电路(640)与所述第一电极层(110)靠近所述第一端(103)的部分之间，所述第二开关电路(650)用于在射频接收阶段导通，所述第二开关电路(650)还用于在射频发射阶段断开。

4.如权利要求3所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二开关电路(650)包括：

第一开关元件(651)，连接于所述输出匹配电路(640)与所述第一电极层(110)靠近所述第一端(103)的部分之间，所述第一开关元件(651)用于在射频接收阶段导通，所述第一开关元件(651)还用在射频发射阶段断开。

5.如权利要求4所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一开关元件(651)包括反向串联的第一耗尽型MOS管(652)和第二耗尽型MOS管(653)，所述第一耗尽型MOS管(652)的栅极和漏极与所述输出匹配电路(640)连接，所述匹配电容(641)远离所述调谐电容(642)的一端连接，所述第一耗尽型MOS管(652)的源极与所述第二耗尽型MOS管(653)的源极连接，所述第二耗尽型MOS管(653)的栅极和漏极与所述第一电极层(110)靠近所述第一端(103)的部分连接，所述第一耗尽型MOS管(652)和所述第二耗尽型MOS管(653)用于在射频接收阶段交替导通。

6.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，还包括：

第一谐振电路(60)，所述第一谐振电路(60)的一端与所述第一电极层(110)靠近所述第一端(103)的部分连接，所述第一谐振电路(60)的另一端与所述第二电极层(120)连接，所述第一谐振电路(60)用于使所述磁场增强组件(10)处于射频接收阶段时谐振，所述第一谐振电路(60)用于使所述磁场增强组件(10)在射频发射阶段失谐。