[发明专利]一种基于相位调控超构表面的双核MRI的图像增强超构表面器件

权利要求书

1.一种双核磁场增强装置，其特征在于，包括：

第一筒形磁场增强器(810)包括：

第一筒形支架(811)，具有第一外表面(801)与第一内表面(802)，所述第一外表面(801)环绕所述第一内表面(802)，并且与所述第一内表面(802)间隔相对设置，所述第一内表面(802)包围形成第一容纳空间(819)；

多个第一磁场增强组件(812)，所述第一磁场增强组件(812)的延伸方向与所述第一筒形支架(811)的第一中心轴线的延伸方向相同，并环绕所述第一中心轴线间隔设置于所述第一外表面(801)；以及

第一环形导电片(861)和第二环形导电片(862)，分别设置于所述第一筒形支架(811)相对的两端，并环绕所述第一中心轴线设置，所述第一环形导电片(861)的两端的连接处具有第一相位调控缺口(871)，所述第二环形导电片(862)的两端的连接处具有第二相位调控缺口(872)；

每个所述第一磁场增强组件(812)的两端分别与所述第一环形导电片(861)和所述第二环形导电片(862)连接，用于增强检测部位的氢质子核的核磁信号；

第二筒形磁场增强器(820)，设置于所述第一容纳空间(819)内，所述第二筒形磁场增强器(820)包围形成第二容纳空间(829)，用于容纳检测部位，所述第二筒形磁场增强器(820)用于增强所述检测部位的非氢质子核的核磁信号。

2.如权利要求1所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第一相位调控缺口(871)与所述第二相位调控缺口(872)相对设置，且所述第一相位调控缺口(871)与所述第二相位调控缺口(872)的连线与所述第一中心轴线平行。

3.如权利要求2所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述多个第一磁场增强组件(812)设置于所述第一相位调控缺口(871)和所述第二相位调控缺口(872)的连线的两侧。

4.如权利要求1所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第一相位调控缺口(871)与所述第二相位调控缺口(872)的弧长，等于相邻两个所述第一磁场增强组件(812)之间的间隔距离。

5.如权利要求1所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第二筒形磁场增强器(820)包括：

第二筒形支架(821)，设置于所述第一容纳空间(819)内，所述第二筒形支架(821)具有第二外表面(803)，与所述第一内表面(802)间隔相对设置；

多个第二磁场增强组件(822)，间隔设置于所述第二外表面(803)，所述第二磁场增强组件(822)的延伸方向与所述第二筒形支架(821)的第二中心轴线的延伸方向相同；

第三环形导电片(866)和第四环形导电片(867)，分别设置于所述第二筒形支架(821)相对的两端，并环绕所述第二筒形支架(821)的中心轴线设置，所述第三环形导电片(866)的两端的连接处具有第三相位调控缺口(873)，所述第四环形导电片(867)的两端的连接处具有第四相位调控缺口(874)；

每个所述第二磁场增强组件(822)的两端分别与所述第三环形导电片(866)和所述第四环形导电片(867)连接，用于增强所述检测部位的非氢质子核的核磁信号。

6.如权利要求5所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第三相位调控缺口(873)与所述第四相位调控缺口(874)相对设置，且所述第三相位调控缺口(873)与所述第四相位调控缺口(874)的连线与所述第二中心轴线平行。

7.如权利要求6所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述多个第二磁场增强组件(822)设置于所述第三相位调控缺口(873)与所述第四相位调控缺口(874)的连线的两侧。

8.如权利要求6所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第三相位调控缺口(873)与所述第一相位调控缺口(871)正交设置，所述第四相位调控缺口(874)与所述第二相位调控缺口(872)正交设置。