[发明专利]一种MRI图像增强超构表面阵列单元组件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，包括相对设置的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，所述第一电极层(110)覆盖部分所述第一表面(101)；

第二电极层(120)，设置于所述第二表面(102)，所述第二电极层(120)覆盖部分所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠形成第一结构电容(150)。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电介质层(100)包括相对的第一端(103)和第二端(104)；

所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)为宽度相同的条形，所述第一电极层(110)由所述第二端(104)向所述第一端(103)延伸，所述第二电极层(120)由所述第一端(103)向所述第二端(104)延伸；

所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠形成所述第一结构电容(150)。

3.如权利要求2所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)正投影重合的部分位于所述第一电介质层(100)的中部。

4.如权利要求2所述的磁场增强组件，其特征在于，包括：

第三电极层(130)，设置于所述第一表面(101)，与所述第一电极层(110)间隔设置，所述第三电极层(130)由所述第一端(103)向所述第二端(104)延伸，并覆盖部分所述第一表面(101)，所述第二电极层(120)与所述第三电极层(130)电连接。

5.如权利要求4所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三电极层(130)为条形，所述第三电极层(130)的延伸方向和宽度均与所述第一电极层(110)相同。

6.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电介质层(100)开设有过孔(103)，所述过孔(103)中设置有电极材料，所述第三电极层(130)通过所述电极材料与所述第二电极层(120)电连接。

7.如权利要求6所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三电极层(130)靠近所述第一电极层(110)的一端与所述过孔(103)的正投影重合，所述第二电极层(120)远离所述第一电极层(110)的一端与所述过孔(103)的正投影重合。

8.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)靠近所述第二电极层(120)的一端具有第一豁口(411)，所述第二电极层(120)靠近所述第一电极层(110)的一端具有第二豁口(412)，所述第一豁口(411)和所述第二豁口(412)在所述第一电介质层(100)的正投影重合。

9.如权利要求8所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)靠近所述第二电极层(120)的一端具有第三豁口(413)，所述第三豁口(413)与所述第一豁口(411)间隔设置，所述第二电极层(120)靠近所述第一电极层(110)的一端具有第四豁口(414)，所述第四豁口(414)与所述第二豁口(412)间隔设置，所述第三豁口(413)和所述第四豁口(414)在所述第一电介质层(100)的正投影重合。

10.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影重叠部分所占的面积小于所述第一表面(101)的面积或所述第二表面(102)的面积的一半。

11.一种磁场增强器件，其特征在于，包括：

筒形支撑结构(50)，具有两个间隔相对的第三端(51)和第四端(53)；

多个如权利要求1-9任一项所述的磁场增强组件(10)，间隔设置于所述筒形支撑结构(50)，并沿着所述第三端(51)向所述第四端延伸；

第一环形导电片(510)，设置于所述筒形支撑结构(50)，并靠近所述第三端(51)；所述第一环形导电片(510)与每个所述磁场增强组件(10)的所述第一电极层(110)连接；以及

第二环形导电片(520)，设置于所述筒形支撑结构(50)，并靠近所述第四端(53)，所述第二环形导电片(520)与每个所述磁场增强组件(10)的所述第二电极层(120)连接。