[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

在一通道区中形成一多层堆叠，该多层堆叠包括一第一多层以及一第二多层的交替层，该第一多层包括一第一半导体材料，该第二多层包括一第二半导体材料；

从该多层堆叠去除该第二多层，剩余的该第一多层包括该第一半导体材料的一第一半导体层以及该第一半导体材料的一第二半导体层；

在该第一半导体层以及该第二半导体层上形成一牺牲膜，该牺牲膜填充该第一半导体层与该第二半导体层之间的区域；

在该第一半导体层与该第二半导体层之间的该牺牲膜之中形成一间隔；

去除该牺牲膜；以及

在该通道区上形成一栅极堆叠。

2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中形成该间隔的步骤包括通过一热处理形成一空隙。

3.如权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其中该热处理在400℃至800℃的温度进行。

4.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中形成该间隔的步骤包括通过对该牺牲膜的前驱物进行H₂O吹洗而形成多个孔隙。

5.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中该牺牲膜包括Al₂O₃。

6.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中该牺牲膜通过在小于约350℃的温度下执行原子层沉积工艺所形成。

7.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，还包括在去除该牺牲膜之后，在该第一半导体层以及该第二半导体层上形成一功函数调整层。

8.一种制造半导体装置的方法，包括：

在一基板上的一第一区中形成一第一多层堆叠，并且在该基板上的一第二区中形成一第二多层堆叠，该第一多层堆叠包括多个第二半导体层的各个层，该第二多层堆叠包括多个第一半导体层的各个层；

形成以及去除一牺牲膜，其中形成以及去除该牺牲膜的步骤包括：

在该第一多层堆叠以及该第二多层堆叠上沉积该牺牲膜，其中该牺牲膜填充该第一多层堆叠的各个第二半导体层之间的多个第一间隙，并填充该第一多层堆叠的各个第二半导体层之间的多个第二间隙；

在该第一多层堆叠的各个第二半导体层之间的该牺牲膜中形成一第一多个间隔，并且在该第二多层堆叠的各个第一半导体层之间形成一第二多个间隔；

在该牺牲膜上形成一掩模层；

图案化以及去除在该第一区中的该掩模层；

去除在该第一多层堆叠上的该牺牲膜；

去除在该第二区中的该掩模层；以及

去除在该第二多层堆叠上的该牺牲膜；以及

在该第一多层堆叠以及该第二多层堆叠上形成多个各别的栅极电极。

9.一种制造半导体装置的方法，包括：

在一通道区中形成一半导体层堆叠；

在该半导体层堆叠的各个半导体层周围形成一栅极电介质；

在该半导体层堆叠上沉积一牺牲层，该牺牲层包括Al₂O₃；

在该半导体层堆叠的各个半导体层之间的该牺牲层中形成多个空隙；

去除该牺牲层；以及

在该栅极电介质周围形成一功函数调整层，该功函数调整层包括La或TiN，该功函数调整层具有该牺牲层中残留的Al₂O₃。

10.如权利要求9所述的制造半导体装置的方法，其中该功函数调整层中的Al₂O₃的密度在2g/cm³至4g/cm³的范围。