[发明专利]阵列基板和显示面板有效
申请号: | 202110183509.4 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN113053912B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 高琳华;马志丽;朱正勇;段培 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板和显示面板,所述阵列基板包括:衬底;图案化的屏蔽层,具有固定电位,位于所述衬底一侧,包括相互连接的多个屏蔽单元;驱动电路层,位于所述屏蔽层背离所述衬底一侧,包括多个驱动晶体管,且每一个所述驱动晶体管在所述屏蔽层上的正投影至少部分覆盖一个所述屏蔽单元。通过上述设计方式,本申请能够降低强光照射以及静电对驱动晶体管稳定性的影响。
技术领域
本申请属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
近年来AMOLED显示技术发展越来越成熟,基于其柔性、对比度高、厚度薄、低功耗、低延时、耐低温等优秀特性,使其在手机显示领域已经成为了主流。目前用户对AMOLED手机提出了诸如高刷新频率等要求。具有高刷新频率的AMOLED显示面板既能消除图像闪烁和抖动感,也为用户带来更为流畅的使用体验;但同时对显示面板的晶体管稳定性提出了更高的要求。
在高刷新频率下,AMOLED显示面板内一些显示mura或显示缺陷会被放大,尤其在如强光照射环境以及受到摩擦静电的环境下,显示面板容易出现如显示异常或者闪屏等一些问题。
发明内容
本申请提供一种阵列基板和显示面板,以降低强光照射以及摩擦静电对驱动晶体管稳定性的影响。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,包括:衬底;图案化的屏蔽层,具有固定电位,位于所述衬底一侧,包括相互连接的多个屏蔽单元;驱动电路层,位于所述屏蔽层背离所述衬底一侧,包括多个驱动晶体管,且每一个所述驱动晶体管在所述屏蔽层上的正投影至少部分覆盖一个所述屏蔽单元。
其中,所述多个驱动晶体管沿相互交叉的第一方向和第二方向排布;所述屏蔽层还包括多个第一连接件;其中,在所述第一方向上,相邻两个屏蔽单元之间通过一个第一连接件连接;优选地,所述屏蔽层还包括多个第二连接件;其中,在所述第二方向上,相邻两个所述第一连接件之间通过一个第二连接件连接。
其中,所述阵列基板包括显示区和包围所述显示区的非显示区;在第一方向上,位于所述非显示区的屏蔽层通过至少一个导电孔与所述驱动电路层中位于所述非显示区且具有固定电位的走线电连接。
其中,所述驱动电路层与所述屏蔽层之间设置有第一缓冲层,所述驱动晶体管包括位于所述第一缓冲层之上的沟道区域;每一所述沟道区域的下方设置有一个屏蔽单元,且所述沟道区域在所述屏蔽层上的正投影位于对应的所述屏蔽单元内。
其中,所述驱动电路层还包括存储电容,在远离所述衬底的方向上,所述驱动电路层依次包括图案化的多晶硅有源层、第一栅绝缘层、图案化的第一金属层、第二栅绝缘层、图案化的第二金属层、第一层间介质层和图案化的源漏极层,所述图案化的多晶硅有源层包括所述沟道区域,所述图案化的第一金属层分别形成所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一极板,所述图案化的第二金属层形成所述存储电容的第二极板,所述图案化的源漏极层分别形成所述驱动晶体管的源极和漏极;其中,所述栅极和所述第二极板在所述屏蔽层上的正投影覆盖所述屏蔽单元;或者,所述栅极在所述屏蔽层上的正投影覆盖所述屏蔽单元。
其中,所述沟道区域的材料为P型半导体,所述屏蔽层具有高电平的的固定电位;或者,所述沟道区域的材料为N型半导体,所述屏蔽层具有低电平的固定电位。
其中,所述屏蔽层的电位与所述第二极板的电位相同。
其中,还包括:第二缓冲层,覆盖所述衬底靠近所述屏蔽层一侧,且所述屏蔽层位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板,包括上述任一实施例中所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的