[发明专利]信息处理方法、信息处理装置和计算机可读取的存储介质在审
申请号: | 202110180780.2 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN113284822A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 鹤田丰久;保坂理人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G06T5/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息处理 方法 装置 计算机 读取 存储 介质 | ||
1.一种信息处理方法,其特征在于,包括:
获取对象基片的表面的变形因子的信息的步骤;
获取所述对象基片的表面图像的步骤;
基于所述表面的变形因子的信息,计算补偿因所述表面的变形导致的图像变化的校正系数的步骤;和
使用所述校正系数校正所述对象基片的表面图像,生成所述对象基片的校正图像的步骤。
2.如权利要求1所述的信息处理方法,其特征在于:
所述获取表面的变形因子的信息的步骤包括获取所述对象基片的翘曲量的步骤,
所述基于表面的变形因子的信息计算所述校正系数的步骤包括:基于根据翘曲量已知的基准基片得到的翘曲系数和所述对象基片的翘曲量,计算所述校正系数的步骤。
3.如权利要求2所述的信息处理方法,其特征在于:
所述计算校正系数的步骤包括:计算与所述对象基片的表面图像的各像素分别相应的所述校正系数的步骤。
4.如权利要求2所述的信息处理方法,其特征在于:
所述生成校正图像的步骤包括:使用所述校正系数分别校正所述对象基片的表面图像中的各像素的亮度值,由此生成所述校正图像的步骤。
5.如权利要求2所述的信息处理方法,其特征在于:
所述获取对象基片的翘曲量的步骤包括:基于大致平坦的基准基片的端面的轮廓线的数据和所述对象基片的端面的轮廓线的数据,计算所述对象基片的翘曲量的步骤。
6.如权利要求2所述的信息处理方法,其特征在于,还包括:
获取所述基准基片的翘曲量的步骤;
获取所述基准基片的表面图像的步骤;以及
基于所述基准基片的翘曲量和所述基准基片的表面图像,计算所述翘曲系数的步骤。
7.如权利要求6所述的信息处理方法,其特征在于:
所述计算翘曲系数的步骤包括:对所述基准基片的表面图像的各像素分别计算所述翘曲系数的步骤。
8.如权利要求7所述的信息处理方法,其特征在于:
所述计算翘曲系数的步骤包括:基于所述基准基片的翘曲量和所述基准基片的表面图像的各像素的亮度值,对所述基准基片的表面图像的各像素分别计算所述翘曲系数的步骤。
9.如权利要求8所述的信息处理方法,其特征在于:
所述计算翘曲系数的步骤包括:
生成用所述基准基片的表面图像的中央区域的亮度值将该表面图像的各像素的亮度值标准化了的标准化数据的步骤;以及
基于所述基准基片的翘曲量和所述标准化数据,计算所述翘曲系数的步骤。
10.如权利要求6所述的信息处理方法,其特征在于:
所述获取基准基片的翘曲量的步骤包括:基于大致平坦的基准基片的端面的轮廓线的数据和非平坦的基准基片的端面的轮廓线的数据,计算所述基准基片的翘曲量的步骤。
11.如权利要求10所述的信息处理方法,其特征在于:
所述非平坦的基准基片为呈向上凸的旋转抛物面形状的基准基片或者呈向下凸的旋转抛物面形状的基准基片。
12.如权利要求6~11中任一项所述的信息处理方法,其特征在于,还包括:
分别获取所述基准基片的不同的2个区域的翘曲量的步骤;以及
基于所述2个区域的翘曲量和所述基准基片的表面图像,对所述2个区域分别计算所述翘曲系数的步骤。
13.如权利要求2~12中任一项所述的信息处理方法,其特征在于:
还包括基于通过改变调整用基片相对于基片保持部的角度得到的、所述调整用基片的2种翘曲量,计算所述基片保持部的倾斜成分的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造