[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括具有第一沟槽的第一区域和具有第二沟槽的第二区域；

第一掩埋绝缘层图案，设置在所述第一沟槽中；

第一缓冲绝缘层，设置在所述第一区域和所述第二区域中的所述衬底上，所述第一缓冲绝缘层具有平坦的上表面；

第二缓冲绝缘层，设置在所述第一缓冲绝缘层上；以及

位线结构，设置在所述第一区域和所述第二区域上，

其中所述第一掩埋绝缘层图案、第二掩埋绝缘层图案和第三掩埋绝缘层图案依次堆叠在所述第二沟槽中，

其中所述位线结构的第一部分设置在所述第二缓冲绝缘层上，并且所述位线结构的所述第一部分具有平坦的下表面，以及

其中所述位线结构的第二部分直接接触所述第一区域中的所述衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中设置在所述第二区域上的所述位线结构具有平坦的上表面和平坦的下表面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二区域上的所述第二掩埋绝缘层图案的上表面从所述第一掩埋绝缘层图案的上表面和所述第三掩埋绝缘层图案的上表面突出，并且所述第一缓冲绝缘层被所述第二区域中的所述第二掩埋绝缘层图案分开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二区域上的所述第二掩埋绝缘层图案的上表面与所述第一缓冲绝缘层的上表面共面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二区域上的所述第二缓冲绝缘层设置在所述第一缓冲绝缘层和所述第二掩埋绝缘层图案上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述位线结构包括多个位线结构；以及

多个开口设置在所述多个位线结构之间，所述多个开口暴露所述衬底的部分，

其中所述多个开口的最下表面的最大高度和最小高度之间的差值小于

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一区域包括多个存储单元；

所述第二区域围绕所述第一区域的边缘并包括多个虚设单元；以及

所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一缓冲绝缘层的厚度在至的范围内。

9.一种半导体器件，包括：

衬底，包括具有第一沟槽和栅极沟槽的第一区域以及具有第二沟槽的第二区域；

第一掩埋绝缘层图案，设置在所述第一沟槽中；

第一缓冲绝缘层，设置在所述第一区域和所述第二区域中的所述衬底上，所述第一缓冲绝缘层具有平坦的上表面；

第二缓冲绝缘层，设置在所述第一缓冲绝缘层上；

栅极结构，设置在所述栅极沟槽中；以及

位线结构，设置在所述第一区域和所述第二区域上，所述位线结构从所述第一区域延伸到所述第二区域，

其中所述第一掩埋绝缘层图案、第二掩埋绝缘层图案和第三掩埋绝缘层图案依次堆叠在所述第二沟槽中，

其中所述位线结构的第一部分设置在所述第二缓冲绝缘层上，并且所述位线结构的所述第一部分具有平坦的下表面，

其中所述位线结构的第二部分直接接触所述第一区域中的所述衬底的表面，以及

其中设置在所述第二区域上的所述位线结构具有平坦的上表面和平坦的下表面。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第二区域上的所述第二掩埋绝缘层图案的上表面与所述第二区域中的所述第一缓冲绝缘层的上表面共面。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一缓冲绝缘层的上表面的平坦度大于所述第一缓冲绝缘层的下表面的平坦度。