[发明专利]带隙基准电路

权利要求书

1.一种用于生成基准电流的方法，所述方法包括：

生成与绝对温度成比例PTAT电流；

生成与绝对温度互补CTAT电流；

使用具有可通过可调节电阻来调节的可调节源极退化的PTAT电流镜来生成所述PTAT电流的第一副本；

使用具有可通过可调节电阻来调节的可调节源极退化的CTAT电流镜来生成所述CTAT电流的第一副本；以及

将所述PTAT电流的所述第一副本与所述CTAT电流的所述第一副本组合以生成具有第一温度系数的第一基准电流。

2.根据权利要求1所述的用于生成基准电流的方法，其中：

所述PTAT电流镜包括第一输入晶体管和第一输出晶体管，所述第一输入晶体管在源极端子处耦接到第一源极退化电阻器，所述第一输出晶体管在源极端子处耦接到第二源极退化电阻器；

所述CTAT电流镜包括第二输入晶体管和第二输出晶体管，所述第二输入晶体管在源极端子处耦接到第三源极退化电阻器，所述第二输出晶体管在源极端子处耦接到第四源极退化电阻器；并且

调节所述CTAT电流镜和所述PTAT电流镜中的一者或两者的所述源极退化包括调节所述第一源极退化电阻器、所述第二源极退化电阻器、所述第三源极退化电阻器或所述第四源极退化电阻器中的任一者的电阻。

3.根据权利要求1所述的用于生成基准电流的方法，所述方法还包括：

将所述第一基准电流输入到第一输出电阻器以获得第一基准电压；以及

调节所述第一输出电阻器的电阻以改变所述第一基准电压。

4.根据权利要求1所述的用于生成基准电流的方法，所述方法还包括：

将所述基准电流耦接到具有源极退化的输出电流镜，所述具有源极退化的输出电流镜包括多个输出晶体管，每个输出晶体管在源极端子处耦接到源极退化电阻器；以及

调节特定源极退化电阻器以调节由耦接到所述特定源极退化电阻器的特定输出晶体管传导的电流的温度系数。

5.一种带隙基准电路，所述带隙基准电路包括：

电流发生器，所述电流发生器被配置为生成与绝对温度成比例PTAT电流和与绝对温度互补CTAT电流；

具有可通过可调节电阻来调节的可调节源极退化的PTAT电流镜，所述具有可调节源极退化的PTAT电流镜耦接到所述电流发生器，并且被配置为生成所述PTAT电流的至少一个副本；

具有可通过可调节电阻来调节的可调节源极退化的CTAT电流镜，所述具有可调节源极退化的CTAT电流镜耦接到所述电流发生器，并且被配置为生成所述CTAT电流的至少一个副本；和

至少一个输出端，所述至少一个输出端被配置为将所述PTAT电流的所述至少一个副本中的一个副本与所述CTAT电流的所述至少一个副本中的一个副本组合以生成具有温度系数的基准电流。

6.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其中：

所述PTAT电流镜的所述可调节源极退化是能够调节的，以调节所述PTAT电流的所述至少一个副本中的每个副本的水平；并且

所述CTAT电流镜的所述可调节源极退化是能够调节的，以调节所述CTAT电流的所述至少一个副本中的每个副本的水平。

7.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其中所述电流发生器包括：

第一二极管连接晶体管和第二二极管连接晶体管，所述第一二极管连接晶体管和所述第二二极管连接晶体管被偏置以在第一电阻器两端产生与绝对温度成比例的电压差，所述第一电阻器两端的所述电压差生成所述PTAT电流；和

放大器，所述放大器被配置为将所述第一二极管连接晶体管的与绝对温度互补的电压耦接到第二电阻器以生成所述CTAT电流。