[发明专利]一种亚微米级或微米级单分散单晶导电金球及其制备方法

权利要求书

1.一种亚微米级或微米级单分散单晶导电金球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A、向乙二醇溶液中加入氯金酸、聚二烯丙基二甲基氯化铵和硝酸银，使混合后液体中氯金酸的浓度为0.0005～0.002mol/L、聚二烯丙基二甲基氯化铵的浓度为0.01～2mol/L，并在180～200℃的条件下反应1～2小时，从而得到小尺寸单分散单晶导电金球胶体溶液；以所述小尺寸单分散单晶导电金球胶体溶液作为种子液执行步骤B；

步骤B、向所述种子液中加入氯金酸和聚二烯丙基二甲基氯化铵，使新加入的氯金酸浓度与导电金球原子浓度的比值为1:2～1:5，然后在室温下搅拌2小时，随后在180～200℃的条件下反应1～2小时，从而制得单晶金纳米八面体胶体溶液；向所述单晶金纳米八面体胶体溶液中加入抛光剂，并在100℃的搅拌条件下反应5小时，从而制得尺寸变大的单分散单晶导电金球胶体溶液；将所述尺寸变大的单分散单晶导电金球胶体溶液作为种子液重新执行步骤B，如此迭代，直至单分散单晶导电金球的尺寸达到预定要求，从而得到亚微米级或微米级单分散单晶导电金球。

2.根据权利要求1所述的亚微米级或微米级单分散单晶导电金球的制备方法，其特征在于，所述抛光剂采用碘化钠、碘化钾、硝酸铁、盐酸中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的亚微米级或微米级单分散单晶导电金球的制备方法，其特征在于，所述聚二烯丙基二甲基氯化铵的分子量为100000～200000。

4.根据权利要求1或2所述的亚微米级或微米级单分散单晶导电金球的制备方法，其特征在于，在步骤B第一次执行时，向所述单晶金纳米八面体胶体溶液中加入抛光剂，使混合后液体中抛光剂的浓度为0.002mol/L，而每次迭代中所述抛光剂的浓度均比步骤B上一次执行时所述抛光剂的浓度增加0.001mol/L。

5.一种亚微米级或微米级单分散单晶导电金球，其特征在于，采用上述权利要求1至4中任一项所述的亚微米级或微米级单分散单晶导电金球的制备方法制备而成。