[发明专利]像素结构、显示基板和显示装置有效
申请号: | 202110178480.0 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112750853B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 李维善 | 申请(专利权)人: | 南昌广恒电子中心(有限合伙) |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 330100 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 显示 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种像素结构、显示基板和显示装置,通过设置像素结构包括至少两个子像素结构;至少两个子像素结构叠置形成叠置单元,且叠置单元的不同子像素结构的延伸方向的夹角大于0度小于180度;叠置单元中任一子像素结构包括在像素结构厚度方向上,与叠置单元中其他子像素结构彼此重叠的第一发光区域,且叠置单元中的任一子像素结构包括在像素结构厚度方向上,与叠置单元中其他子像素结构无交叠的第二发光区域;使得叠置单元形成立体结构,相对于现有技术中像素结构中不同子像素结构的无交叠的方案,可以使得像素结构占用的平面面积减少,进而有利于显示装置像素密度的提高。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素结构、显示基板和显示装置。
背景技术
目前,微发光二极体(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)由于其高响应速度,高色域,高亮度,长寿命等,被称为未来显示技术;液晶显示器(Liquid CrystalDisplay,LCD)配合毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode,MINI LED)背光技术,量子的技术或者高演色性技术,也是使之相对于有机发光二极管(Organic light-emittingdiode,OLED)保持寿命,亮度优势同时,缩小其在对比度,色域方面的相对劣势的手段。
由于将由于Micro LED芯片或MINI LED芯片制作小后存在边缘效应等原因,小尺寸芯片制作困难,使得显示装置难以实现高像素密度。
发明内容
本发明提供一种像素结构、显示基板和显示装置,以减小像素结构的占用平面面积,提高显示装置的像素密度。
第一方面,本发明实施例提供了一种像素结构,包括:至少两个子像素结构;
至少两个子像素结构叠置形成叠置单元,且叠置单元的不同子像素结构的延伸方向的夹角大于0度小于180度;
叠置单元中任一子像素结构包括在像素结构厚度方向上,与叠置单元中其他子像素结构彼此重叠的第一发光区域,且叠置单元中的任一子像素结构包括在像素结构厚度方向上,与叠置单元中其他子像素结构无交叠的第二发光区域。
可选的,叠置单元包括叠置的第一子像素结构和第二子像素结构;
可选的,第一子像素结构和第二子像素结构的发光颜色不同。
可选的,像素结构还包括第三子像素结构,第三子像素结构与第一子像素结构、第二子像素结构叠置形成叠置单元;
可选的,第一子像素结构、第二子像素结构、第三子像素结构的发光颜色均不相同。
可选的,像素结构还包括第三子像素结构,第三子像素结构与第一子像素结构、第二子像素结构的垂直投影均无交叠;
可选的,第一子像素结构、第二子像素结构、第三子像素结构的发光颜色均不相同。
可选的,叠置单元中的任一子像素结构的第二发光区域包括位于第一发光区域一侧的第一子发光区域和位于第二子发光区域另一侧的第二子发光区域;
可选的,子像素结构的垂直投影的形状为条形;
可选的,子像素结构的垂直投影的面积相同。
可选的,n个子像素结构叠置形成叠置单元,n≥2;叠置单元的垂直投影中,任一子像素结构的垂直投影与叠置单元中相邻子像素结构的垂直投影的夹角的角度为180/n。
可选的,子像素结构不透光;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的