[发明专利]一种新型线性稳压器在审

专利信息
申请号: 202110178313.6 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN112987841A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 蔡胜凯;李响;董渊;庄健 申请(专利权)人: 无锡英迪芯微电子科技股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 代理人: 过顾佳;聂启新
地址: 214028 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种新型线性稳压器,其特征在于,在新型线性稳压器中,第一级运放电路的输入端连接工作电源、输出端连接第一NMOS管的栅极,所述第一NMOS管的漏极连接所述工作电源、源极依次通过第一电阻和第二电阻接地,所述第一NMOS管的源极还引出作为所述新型线性稳压器的电压输出端,所述电压输出端处连接有片内电容和负载,所述第一电阻和第二电阻的公共端引出反馈电压端至所述第一级运放电路;

所述第一级运放电路的输出端还依次通过第一电容和第三电阻接地,所述第一电容和第三电阻的公共端连接第二NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的源极接地,动态补偿电路采样所述电压输出端的输出电流并产生对应的补偿信号输入所述第二NMOS管的栅极,所述第二NMOS管的导通电阻与所述电压输出端的输出电流对应,所述电压输出端的输出电流与所述负载正相关;

所述第一级运放电路的输出端产生主极点,所述电压输出端产生次极点,所述次极点的大小与所述负载正相关;所述第二NMOS管、第一电容和第三电阻产生动态零点补偿所述次极点,所述动态零点的大小与所述第二NMOS管的导通电阻对应并与所述负载正相关。

2.根据权利要求1所述的新型线性稳压器,其特征在于,

所述动态零点的大小为其中,RdsonN2为所述第二NMOS管的导通电阻且un为电子迁移率,Cox为单位面积的栅氧电容,为所述第二NMOS管的宽长比,VGSN2为所述第二NMOS管的栅源电压,VthN2为所述第二NMOS管的阈值电压,所述第二NMOS管的栅源电压与栅极的补偿信号相关且与所述负载正相关,则所述第二NMOS管的导通电阻与所述负载负相关,R3为所述第三电阻的阻值,C1为所述第一电容的电容值,RdsonN2||R3表示RdsonN2与R3的并联阻值。

3.根据权利要求1所述的新型线性稳压器,其特征在于,所述动态补偿电路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,所述第三NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极、源极连接所述电压输出端、漏极连接所述第一PMOS管的漏极,所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相连并连接所述第一PMOS管的漏极,所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接所述工作电源,所述第二PMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的漏极和栅极,所述第四NMOS管的源极接地,所述第四NMOS管栅极还连接至所述第二NMOS管的栅极。

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