[发明专利]封装结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110177876.3 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN112967936B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 章军 申请(专利权)人: 池州昀冢电子科技有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/52;H01L23/06;H01L23/04;H01L23/055;H01L23/10
代理公司: 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 代理人: 王宁
地址: 247000 安徽省池州市皖江*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构的制备方法,其特征在于,包括:

提供一基板,所述基板为陶瓷基板,所述基板具有相对的第一表面和第二表面;

在所述基板的第一表面设置围坝,所述围坝包括内层坝体和外层坝体,所述内层坝体套设在所述外层坝体内,所述内层坝体的外侧面贴附在外层坝体的内侧面上以形成内层坝体与外层坝体相邻设置,所述内层坝体和外层坝体为金属材质,所述内层坝体采用铜材质,所述外层坝体采用铝材质,所述内层坝体的顶面低于外层坝体的顶面并形成阶梯结构;

在所述基板的第一表面设置所述内层坝体的方法包括:采用真空镀膜方式在所述基板的第一表面制作厚膜,得到的厚膜即为所述内层坝体;

在所述基板的第一表面设置所述外层坝体的方法包括:先采用真空镀膜方式,后采用电镀方式在所述基板的第一表面制作所述外层坝体。

2.根据权利要求1所述封装结构的制备方法,其特征在于,所述围坝的位于内层坝体顶面以下部分的沿垂直于围坝延伸方向的截面形状为梯形或矩形。

3.根据权利要求1所述封装结构的制备方法,其特征在于,所述基板具有贯穿第一表面和第二表面的导通孔;

所述制备方法还包括:

在所述基板的导通孔内形成导电体,在所述基板的第一表面设置第一导电层,在所述基板的第二表面设置第二导电层,所述第一导电层和第二导电层通过所述导电体导通;

提供一电子元件,将所述电子元件设置在所述基板的第一表面并电性连接所述第一导电层;

提供一盖体,将所述盖体设置在所述内层坝体上以封装所述电子元件。

4.根据权利要求3所述封装结构的制备方法,其特征在于,所述将所述盖体设置在所述内层坝体上的方法包括:将所述盖体与所述内层坝体顶面上的部分焊接在一起。

5.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构根据权利要求1至4任意一项所述的制备方法得到。

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