[发明专利]封装结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110177852.8 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN112967935B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 章军 申请(专利权)人: 池州昀冢电子科技有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/52;H01L23/06;H01L23/08;H01L23/04;H01L23/055;H01L23/10
代理公司: 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 代理人: 王宁
地址: 247000 安徽省池州市皖江*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制备 方法
【说明书】:

本申请公开了一种封装结构及其制备方法。该制备方法包括:提供一基板,所述基板具有相对的第一表面和第二表面;在所述基板的第一表面设置围坝,所述围坝包括内层坝体和外层坝体,所述内层坝体套设在所述外层坝体内,所述内层坝体为塑胶材质,所述内层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面;提供一金属件,所述金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。上述制备方法得到的封装结构可以根据封装需要,灵活设置金属件的位置,克服现有围坝存在的缺陷,满足封装需要。

技术领域

本申请涉及封装技术领域,尤其涉及一种封装结构及其制备方法。

背景技术

传感器、晶体振荡器、谐振器、激光器、摄像装置、LED模组等器件一般采用陶瓷基板封装方式,常用的封装结构是在带有线路层的陶瓷基板上设置围坝,围坝上设置盖板,盖板、围坝与陶瓷基板围设成密封腔室,该密封腔室内用于放置各类芯片等器件,通过向密封腔室内填充封装胶水、惰性气体或直接抽真空,实现器件的气密封装。

目前围坝大概分为三种,1、陶瓷围坝,2、金属围坝,3、塑胶围坝。其中,陶瓷围坝一般采用LTCC(Low Temperature co-fired ceramics,低温共烧陶瓷)技术烧结形成,使得陶瓷围坝线路解析度不高,通过高温烧结形成的方式成本高。金属围坝制作的方式一般分为三种,第一种方式是金属围坝由单一金属或合金冲压成型,再将金属围坝粘结在陶瓷基板上,该方式中,金属围坝与陶瓷基板之间是有机连接,气密性不佳;第二种方式是将金属围坝通过金属可伐环焊接在陶瓷基板上,该方式要求焊接工艺高,导致产品良率低、成本高;第三种方式是在陶瓷基板上采用电镀方式制作围坝,该方式的围坝宽度尺寸受限,工艺较复杂。塑胶围坝(包括环氧树脂在内)耐UV(紫外)照射差,无法进行盖板焊接。

因此,研究开发一种可靠性高、性价比好的封装技术对于半导体封装有着十分重要的意义。

发明内容

本申请的目的在于提供一种封装结构及其制备方法,能够克服现有围坝存在的缺陷。

本申请的目的采用以下技术方案实现:

一种封装结构的制备方法,包括:

提供一基板,所述基板具有相对的第一表面和第二表面;

在所述基板的第一表面设置围坝,所述围坝包括内层坝体和外层坝体,所述内层坝体套设在所述外层坝体内,所述内层坝体为塑胶材质,所述内层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面;

提供一金属件,所述金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。

优选地,所述外层坝体为金属材质。

优选地,在所述基板的第一表面设置所述外层坝体的方法包括:将所述外层坝体粘附在所述基板的第一表面,或,采用真空镀膜方式在所述基板的第一表面制作所述外层坝体,或,先采用真空镀膜方式,后采用电镀方式在所述基板的第一表面制作所述外层坝体。

优选地,在所述基板的第一表面设置所述内层坝体的方法包括:将所述外层坝体作为制作所述内层坝体的模具的一部分,采用注塑方式在所述基板的第一表面制作内层坝体,或,将所述外层坝体埋入制作所述内层坝体的模具,采用注塑方式制作得到连接为一体的所述外层坝体和所述内层坝体,并将连接为一体的所述外层坝体和所述内层坝体设置在所述基板的第一表面。

优选地,在所述基板的第一表面设置所述内层坝体的方法包括:将所述内层坝体粘附在所述基板的第一表面,或,将所述金属件作为制作所述内层坝体的模具的一部分,采用注塑方式在所述基板的第一表面制作内层坝体,或,将所述金属件埋入制作所述内层坝体的模具,采用注塑方式制作得到连接为一体的所述金属件和所述内层坝体,并将连接为一体的所述金属件和所述内层坝体设置在所述基板的第一表面。

优选地,所述外层坝体为塑胶材质。

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