[发明专利]封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一高温共烧陶瓷基板，所述高温共烧陶瓷基板包括多个叠放的基板单元，所述基板单元上设置有贯穿所述基板单元上下两面的导电体，最上层以外的所述基板单元的上表面设置有层间导电层，最上层的所述基板单元的上表面不设置层间导电层；

在最上层的所述基板单元的上表面制作第一导电层，在最下层的所述基板单元的下表面制作第二导电层，所述第一导电层电性连接最上层的所述基板单元中的导电体，所述第二导电层电性连接最下层的所述基板单元中的导电体；

所述第一导电层和第二导电层分别采用以下任意一种方法得到：

采用直接镀铜方式得到；

在所述基板单元的表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层；

所述高温共烧陶瓷基板采用以下方法得到：提供多个生瓷带，在所述生瓷带上形成贯穿所述生瓷带上下两面的导通孔，向所述生瓷带的导通孔内填充导电材料以形成导电体，在最上层以外的所述生瓷带的表面形成层间导电层，最上层的所述生瓷带不设置层间导电层，将多个所述生瓷带叠放和热压，然后对所述生瓷带进行切片和高温共烧，得到所述高温共烧陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：在最上层以外的至少一个所述生瓷带的表面形成无源器件。

3.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，采用直接镀铜方式在所述基板单元的表面制作第一导电层和/或第二导电层的方法包括：采用真空蒸镀方式在所述基板单元的表面制作第一导电膜层，在所述第一导电膜层上贴干膜，然后利用光罩在所述基板单元的表面进行曝光、显影处理，得到电路图形，采用电镀方式在所述基板单元的电路图形上制作第二导电膜层，去除干膜和除电路图案以外的第一导电膜层，得到图形化的第一导电层和/或第二导电层。

4.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在所述基板单元的表面制作导电膜层的方法包括：

采用真空镀膜方式在所述基板单元的表面制作导电膜层；或，

先采用真空镀膜方式在所述基板单元的表面制作第三导电膜层，后采用电镀方式在所述第三导电膜层上制作第四导电膜层，所述第三导电膜层和第四导电膜层形成所述导电膜层。

5.根据权利要求4所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述真空镀膜方式为磁控溅射。

6.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述第一导电层和/或第二导电层上制作保护膜层。

7.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在最上层的所述基板单元的上表面设置围坝，所述围坝为塑胶围坝，所述围坝具有顶面、相对的内侧面和外侧面；

提供一金属件，所述金属件设置在所述围坝上并覆盖所述围坝的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。

8.根据权利要求7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在最上层的所述基板单元的上表面设置围坝的方法包括：将所述围坝粘附在最上层的所述基板单元上，或，将所述金属件作为制作所述围坝的模具的一部分，采用注塑方式在最上层的所述基板单元的上表面制作围坝。

9.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在最上层的所述基板单元的上表面设置围坝，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在最上层的所述基板单元的上表面，所述下层坝体为塑胶材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体顶面上并形成阶梯结构；

提供一金属件，所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。