[发明专利]一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体鳍式场效应晶体管结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底中的至少两类防穿通注入，不同类的所述防穿通注入深入所述衬底的深度和/或掺杂浓度不同；

位于所述衬底上的至少两类金属栅，一类所述金属栅与一类所述防穿通注入对应；

所述防穿通注入深入所述衬底的深度和与所述防穿通注入对应的金属栅的高度正相关；

和/或

所述防穿通注入的掺杂浓度和与所述防穿通注入对应的金属栅的高度相对应。

2.根据权利要求1所述的半导体鳍式场效应晶体管结构，其特征在于，各类所述防穿通注入在所述衬底上的分布区域各不相同。

3.根据权利要求1所述的半导体鳍式场效应晶体管结构，其特征在于，至少存在两类所述防穿通注入在所述衬底上的分布区域至少部分重叠。

4.根据权利要求3所述的半导体鳍式场效应晶体管结构，其特征在于，在所述衬底上的分布区域至少部分重叠的各类所述防穿通注入中，掺杂浓度大的防穿通注入基于掺杂浓度小的防穿通注入形成。

5.根据权利要求1所述的半导体鳍式场效应晶体管结构，其特征在于，还包括：至少两类外延结构，一类所述外延结构与一类所述防穿通注入对应；

所述防穿通注入深入所述衬底的深度和与所述防穿通注入对应的外延结构深入所述衬底的深度正相关；

和/或

所述防穿通注入的掺杂浓度和与所述防穿通注入对应的外延结构的高度相对应。

6.一种半导体鳍式场效应晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成至少两类防穿通注入，不同类的所述防穿通注入深入所述衬底的深度和/或掺杂浓度不同；

形成至少两类金属栅；

一类所述金属栅与一类所述防穿通注入对应；

所述防穿通注入深入所述衬底的深度和与所述防穿通注入对应的金属栅的高度正相关；

和/或

所述防穿通注入的掺杂浓度和与所述防穿通注入对应的金属栅的高度相对应。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底中形成至少两类防穿通注入包括：

确定与各类所述防穿通注入对应的制备参数，依据所述制备参数，在所述衬底中依次形成至少两类所述防穿通注入；

所述制备参数包括：形成所述防穿通注入的离子注入能量和注入剂量。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，当至少存在两类所述防穿通注入在所述衬底上的分布区域至少部分重叠时；

在所述衬底上的分布区域至少部分重叠的各类所述防穿通注入的制备过程包括：

按照各类所述防穿通注入的掺杂浓度从小到大的顺序，依次进行离子注入，以形成在所述衬底上的分布区域至少部分重叠的各类所述防穿通注入。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

形成至少两类外延结构；

一类所述外延结构与一类所述防穿通注入对应；

所述防穿通注入深入所述衬底的深度和与所述防穿通注入对应的外延结构深入所述衬底的深度正相关；

和/或

所述防穿通注入的掺杂浓度和与所述防穿通注入对应的外延结构的高度相对应。