[发明专利]一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件在审
| 申请号： | 202110176828.2 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112953284A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 赵海军;谢广峰 | 申请（专利权）人： | 北京帕斯特电力集成技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 王珂 |
| 地址： | 101318 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 晶闸管 igbt 半导体 组件 | ||
1.一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，包括串联的若干个IGBT，其特征在于，所述IGBT的串联电路上并联有第一电容组成IGBT半桥单元，所述IGBT半桥单元的一侧并联有晶闸管半桥单元，所述IGBT半桥单元的另一侧并联有并联设置的第二电容器和第三电容器。
2.根据权利要求1所述的一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，其特征在于，所述IGBT半桥单元内的设置有两个IGBT，两个所述IGBT分别并联有二极管，所述晶闸管半桥单元由两个可关断的晶闸管串联组成。
3.根据权利要求2所述的一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，其特征在于，所述IGBT半桥单元内的设置有四个IGBT。
4.根据权利要求1所述的一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，其特征在于，所述IGBT半桥单元内的设置有四个IGBT，所述晶闸管半桥单元由两个可关断的晶闸管串联组成，且每个所述晶闸管并联有二极管。
5.根据权利要求1所述的一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，其特征在于，所述IGBT半桥单元设有一个IGBT，所述晶闸管半桥单元设有一个可关断的晶闸管，所述IGBT的集电极C与所述晶闸管的阳极A相连接，所述IGBT的发射极E与所述晶闸管的阴极K相连。
6.根据权利要求5所述的一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，其特征在于，所述IGBT设有栅极G1，所述晶闸管设有门极G2。
7.根据权利要求1所述的一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，其特征在于，所述IGBT半桥单元内的设置有四个IGBT，四个所述IGBT分别并联有二极管，其中，中间相邻的两个所述IGBT并联有第四电容。
8.根据权利要求1所述的一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，其特征在于，所述第二电容器为有源电容器，所述第三电容器为直流电容器。
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