[发明专利]一种面向存算阵列的高压选择电路

说明书

本发明公开了一种面向存算阵列的高压选择电路，属于集成电路技术领域。所述面向存算阵列的高压选择电路包括高压选通电路以及电平转换电路，所述电平转换电路包括第一正高压转换电路、第一负高压转换电路以及GND转换电路，所述第一正高压转换电路连接所述高压选通电路，所述GND转换电路连接所述高压选通电路，所述第一负高压转换电路连接所述高压选通电路，所述电平转换电路为高压选通电路提供高压控制信号，所述高压选通电路将具有一定驱动能力的电压输出。本发明公开的高压选择电路实现了电压切换流程可控，避免了由于时序问题造成短时间内存在高压对地的通路，降低了动态功耗，提高电路可靠性，对多数存算阵列具有普适性。

技术领域

本发明公开了一种面向存算阵列的高压选择电路，属于集成电路技术领域。

背景技术

目前存算一体电路致力于完成深度神经网络的运算，打破传统运算架构的“存储墙”，随着存算一体电路的研究不断深入，其应用领域也在不断拓展。为了满足大规模存算一体芯片在图像处理、目标识别等场景的应用需求，同时考虑到单芯片上数据吞吐量庞大以及芯片的功率密度和耐压等问题，存算一体阵列高压选择电路需要有高速、高密度、小面积等要求。因此，高压电路的优化与设计对于整体芯片的功能实现有着不可或缺的地位。

在已有的Flash驱动电路的设计中[一种为浮栅存储器提供正负高压的字线驱动装置及其方法CN104050999A]，表1中,该方案在已有结构上还需要在输入端口添加电平转换电路，状态切换过程非常复杂，设计多个信号的切换，另外电路面积过大，无法适用于大规模存算阵列。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种面向存算阵列的高压选择电路。

(二)技术方案

本发明公开了一种面向存算阵列的高压选择电路，所述高压选择电路包括高压选通电路以及电平转换电路，所述电平转换电路包括第一正高压转换电路、第一负高压转换电路以及GND转换电路，所述第一正高压转换电路连接所述高压选通电路，所述GND转换电路连接所述高压选通电路，所述第一负高压转换电路连接所述高压选通电路，所述电平转换电路为高压选通电路提供高压控制信号，所述高压选通电路将具有一定驱动能力的电压输出。

可选的，所述第一正高压转换电路响应于数字输入信号a，所述GND转换电路响应于数字输入信号b，所述第一负高压转换电路响应于数字输入信号c，所述高压选通电路响应于第一正高压转换电路的高压输出A、GND转换电路的高压输出B、第一负高压转换电路的高压输出C。

可选的，所述第一正高压转换电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第一反相器I1、第二反相器I2、第三反相器I3以及第四反相器I4。

可选的，所述M1的栅极、I1的输出与I2的输入连接，所述M1的源极、M2的源极与地连接，所述M1的漏极与M3的源极连接，所述M2的栅极与I2的输出连接，所述M2的漏极与M4的源极连接，所述M3的栅极以及M4的栅极与第二正高压电压源连接，所述M3的漏极以及M5的漏极与M6的栅极连接，所述M4的漏极、M6的漏极以及M5的栅极与I3的输入连接，所述M5的源极以及M6的源极与10V电压源连接，所述I3的输出与I4的输入连接，所述I4的输出为第一正高压转换电路的输出A。

可选的，所述第一负高压转换电路包括第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第五反相器I5、第六反相器I6以及第七反相器I7。