[发明专利]半导体键合位姿补偿修复方法、装置及存储介质有效
申请号: | 202110175659.0 | 申请日: | 2021-02-07 |
公开(公告)号: | CN112992735B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 何良雨;刘彤;崔健 | 申请(专利权)人: | 锋睿领创(珠海)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/603 |
代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 张小燕 |
地址: | 519000 广东省珠海市横琴新区环岛东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 键合位姿 补偿 修复 方法 装置 存储 介质 | ||
本发明公开了一种半导体键合位姿补偿修复方法、装置及计算机可读存储介质,用于确定出用于键合的最佳补偿位姿,以提高键合效果。方法部分包括:获取裸芯片三维点云和基板三维点云;将裸芯片三维点云和基板三维点云转换到同一目标坐标系;在目标坐标系下,分别对裸芯片三维点云和基板三维点云进行实例分割,以分别获取裸芯片凸点点云和基板凸点点云;对裸芯片凸点点云和基板凸点点云进行键合配对,以确定所有键合对;根据键合对的工艺类型对所有键合对进行工艺类型分类,得到m种工艺类型下的键合对凸点点云;根据m种工艺类型下的键合对凸点点云,确定最佳补偿位姿。
技术领域
本发明涉及键合技术领域,尤其涉及一种半导体键合位姿补偿修复方法、装置及存储介质。
背景技术
键合,主要用于裸芯片(die)和基板(substrate)的键合凸点(Bump)进行键合,可通过控制键合装置温度和压力的变化,来控制裸芯片和基板上凸点的熔化、接合、凝固过程,实现快速键合。键合对于裸芯片和基板的相对位置精度要求非常高,并且,随着半导体工艺制程不断缩小,先进封装中的精度要求会愈加严苛。
传统方案中,对于键合精度的控制主要通过平面拟合位姿补偿来实现,该平面拟合位姿补偿,指的是通过采集裸芯片和基板上的键合凸点的高度数据,来拟合出兼顾所有键合凸点的键合平面位姿,再利用键合装置调整裸芯片和基板相对位姿来实现键合位姿补偿,可见,该方式中,只利用了键合凸点的单值高度数据来获取补偿位姿,以进行无差别的粗糙拟合补偿,键合精度补偿能力较差。
发明内容
本发明提供一种半导体键合位姿补偿修复方法、装置及存储介质,以解决传统方案中只利用了键合凸点的单值高度数据来获取补偿位姿,导致键合精度补偿能力较差的问题,并且,除半导体键合应用领域外,本发明还适用于半导体其他涉及位姿补偿的应用领域,或者适用于非半导体其他涉及位姿补偿的应用领域;另外,在该方法中,本发明还具体提出一种补偿位姿估计网络、工艺类型位姿估计框架、平面交互注意力特征提取网络,除了应用于半导体键合位姿外,还可以适用于其他场景中。
为解决上述技术问题,本发明对应提供如下方案:
第一方面,提供一种半导体键合位姿补偿修复方法,包括:
获取裸芯片三维点云和基板三维点云;
将裸芯片三维点云和基板三维点云转换到同一目标坐标系;
在目标坐标系下,分别对裸芯片三维点云和基板三维点云进行实例分割,以分别获取裸芯片凸点点云和基板凸点点云;
对裸芯片凸点点云和基板凸点点云进行键合配对,以确定所有键合对;
根据键合对的工艺类型对所有键合对进行工艺类型分类,得到m种工艺类型下的键合对凸点点云;
根据m种工艺类型下的键合对凸点点云,确定最佳补偿位姿。
在一种实现中,根据m种工艺类型下的键合对凸点点云,确定最佳补偿位姿,包括:
将m种工艺类型下的键合对凸点点云作为输入,输入至补偿位姿估计网络进行迭代计算,以确定最佳补偿位姿。
在一种实现中,将m种工艺类型下的键合对凸点点云作为输入,输入至补偿位姿估计网络进行迭代计算,以确定最佳补偿位姿,包括:
将上一次迭代输出的键合补偿位姿和m种工艺类型的键合对凸点点云,输入至对应的m个工艺类型位姿估计框架中,得到m种工艺类型的类型补偿位姿;
联接m种工艺类型的类型补偿位姿后输入至全连接层,以获取当前键合补偿位姿;
判断当前是否满足预设迭代条件;
若满足,则将满足预设迭代条件的当前键合补偿位姿,作为最佳补偿位姿,若不满足,则将当前键合补偿位姿作为下一次迭代计算输入重新进行迭代计算,直至满足预设迭代条件。
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