[发明专利]室清洁和半导体蚀刻气体

权利要求书

1.一种半导体制造处理室的操作方法，包括使用包含第一氟烯烃和第二氟烯烃的蚀刻气体蚀刻半导体上的膜，

其中所述第一氟烯烃为1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁炔，和所述第二氟烯烃为六氟-1,3-丁二烯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻膜的步骤还包括：

将光掩模转移到半导体以形成掩蔽表面和暴露表面，

形成所述蚀刻气体的等离子体，以及

将所述半导体的暴露表面暴露于所述等离子体以清除所述半导体的暴露表面的部分来形成所述半导体的蚀刻表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述方法还包括以下步骤：形成第二蚀刻气体，活化所述第二蚀刻气体以形成第二等离子体，将所述第二等离子体沉积在所述蚀刻表面上以在所述半导体的蚀刻表面上形成聚合物层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中表面的膜选自氧化硅、氮化镓、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氮化钨、氮化钛和氮化钽。

5.根据权利要求1所述的方法，其中由所述蚀刻气体形成等离子体的步骤在远距室中或在所述处理室中执行。

6.根据权利要求1所述的方法，其中的气体混合物还包含以至少约0.5:1的氧气：氟烯烃的摩尔比的氧气。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述处理室中的压力不超过30托。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述远距室中的压力从0.5托至50托。

9.一种用于从处理室中的表面清除表面沉积物的方法，包括：活化包含氧气、第一氟烯烃和第二氟烯烃的气体混合物，其中所述气体混合物中氟烯烃的摩尔百分比为从约5％至约99％，以及使所述活化的气体混合物与所述表面沉积物接触，从而清除至少一些所述沉积物；其中所述第一氟烯烃为反式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁炔，和所述第二氟烯烃为六氟-1,3-丁二烯。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述处理室为用于制造电子器件的沉积室的内部。

11.根据权利要求9所述的方法，其中活化所述气体混合物的步骤发生在远距室中。