[发明专利]化学机械抛光系统及化学机械抛光监测方法在审
申请号: | 202110173013.9 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN112894609A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 蒋策策;季文明;倪震威;方瑞鸿 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B37/013;B24B49/16;B24B49/00;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201306 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 系统 监测 方法 | ||
1.一种化学机械抛光系统,其特征在于,包括:
抛光头,所述抛光头用于固定纯硅片;
加压机构,所述加压机构提供所述抛光头压在纯硅片的上表面上的压力;
距离传感器,所述距离传感器用于检测包含所述纯硅片的实时厚度的距离信号,并将检测得到的包含所述纯硅片的实时厚度的距离信号传输至控制单元进行计算,以得到所述纯硅片的实时厚度;以及,
控制单元,用于根据所述纯硅片的目标厚度以及所述纯硅片的实时厚度数据调整所述加压机构的压力;
其中,所述加压机构位于所述抛光头上方,并与所述抛光头固定连接,所述控制单元分别电连接所述加压机构和所述距离传感器。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光系统,其特征在于,所述距离传感器包括第一距离传感器和第二距离传感器,所述第一距离传感器和第二距离传感器检测的包含所述纯硅片的实时厚度的距离信号传输至控制单元,所述控制单元通过所述第一距离传感器和所述第二距离传感器的距离差值计算所述纯硅片的实时厚度。
3.如权利要求2所述的化学机械抛光系统,其特征在于,所述第一距离传感器的数量为多个。
4.如权利要求2所述的化学机械抛光系统,其特征在于,所述抛光头下方还设置有内部背板,所述抛光头上方还设置有第一旋转机构,所述第一旋转机构连接抛光头和内部背板,并带动所述抛光头和内部背板旋转。
5.如权利要求4所述的化学机械抛光系统,其特征在于,所述第一距离传感器固定于所述内部背板上。
6.如权利要求2所述的化学机械抛光系统,其特征在于,所述硅片化学机械抛光系统还包括抛光台,所述抛光台上设置有凹槽。
7.如权利要求6所述的化学机械抛光系统,其特征在于,所述第二距离传感器固定于所述抛光台的凹槽内,且所述第二距离传感器的表面与所述抛光台的表面齐平。
8.一种化学机械抛光监测方法,其特征在于,包括:
利用抛光头将纯硅片压至抛光垫上以对所述纯硅片进行抛光;以及,
距离传感器检测包含所述纯硅片的实时厚度的距离信号,并将检测得到的包含所述纯硅片的实时厚度的距离信号传输至控制单元进行计算,以得到所述纯硅片的实时厚度,控制单元根据所述纯硅片的目标厚度以及所述纯硅片的实时厚度数据实时调整加压机构提供给所述抛光头的压力。
9.如权利要求8所述的化学机械抛光监测方法,其特征在于,所述距离传感器包括第一距离传感器和第二距离传感器,所述第一距离传感器和第二距离传感器检测的包含所述纯硅片的实时厚度的距离信号传输至控制单元,所述控制单元通过所述第一距离传感器和所述第二距离传感器的距离差值检测所述纯硅片的实时厚度。
10.如权利要求9所述的化学机械抛光监测方法,其特征在于,所述第一距离传感器和所述第二距离传感器的距离差值减去所述橡胶圈、吸附垫和抛光垫的厚度,以得到测试所述纯硅片的实时厚度。
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