[发明专利]一种发光二极管及制作工艺、发光装置

说明书

本发明公开一种发光二极管及制作工艺、发光装置，所述发光二极管包括：发光外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面侧，具有多个第一开口暴露发光外延叠层的第二表面侧；粘附层，位于透光性介电层远离发光外延叠层的一侧，具有多个第二开口，第二开口与第一开口的位置对应；金属层，位于粘附层的远离透光性介电层的一表面侧，并延伸至第二开口以及第一开口内与发光外延叠层的第二表面侧接触，所述的粘附层的厚度至多为透光性介电层厚度的五分之一。本发明所述发光二极管可以有效解决粘附层在欧姆接触层与反射镜层之间导致的电压上升的问题。

技术领域

一种具有金属反射镜和透光性介电层搭配的发光二极管，更加优选地是结构为红光发光二极管。

背景技术

现有发光二极管之增光工艺，如图1所示，通常借由键合工艺将芯片外延层（包括第一类型半导体层106、发光层107和第二类型半导体层108）自吸光外延基板转移至另一永久基板101上，并且在外延层与吸光基板之间制作反射镜面102，通过反射镜面102将光束反射至出光面提升整体亮度。镜面材质通常选用对于该芯片波长具有高反射率之金属材料，如红光或红外常用Au/Ag镜。红光或者红外的Au/Ag镜通常与透光性介电层104搭配形成ODR结构增加反射效果。另外透光性介电层104会开口制作金锗、金镍、金铍、金锌等常见的金属欧姆接触层105。然后再做一层作粘附层103覆盖欧姆接触层105和透光性介电层104，在粘附层103表面再制作金属反射镜面102，粘附层103通常是IZO或ITO。

同时某些粘附层经过酸、碱性的溶液后，材料特性会发生变化，例如IZO的特性会比较活泼，某些略带酸性或者碱性的去胶液、显影液也会对材料的表面、厚度等产生不可逆转的影响，比如发生蚀刻现象等。所以如IZO类的粘附层要实现图形化比较困难，本案的目的在于不影响粘附层特性的基础上，实现CB孔内欧姆接触良好的接触及镜面反射系统。

发明内容

基于本发明的目的，本发明提供了一种具有镜面结构的发光二极管及其制作方法，其具有能够降低电压的镜面结构。

根据本发明的第一个方面，提供如下发光二极管，包括：发光外延叠层，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；

透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面侧，并具有多处的第一开口暴露部分外延叠层的第二表面侧；

粘附层，位于透光性介电层远离发光外延叠层的一侧，具有多个第二开口，每一第二开口与每一第一开口的位置对应；

金属层，位于粘附层的远离透光性介电层的一表面侧，并填充第二开口以及第一开口与发光外延叠层的第二表面侧直接接触，所述的粘附层的厚度至多为透光性介电层厚度的五分之一，其特征在于：所述的金属层与透光性介电层之间仅有一层粘附层。

优选地，其中所述的粘附层的厚度至少0.1nm至多10nm。

优选地，所述透光性介电层的厚度为50nm以上。

优选地，所述粘附层为透明导电粘附层。

优选地，所述粘附层为IZO或ITO。

优选地，所述透光性介电层单层或多层，其中每一层为氟化镁层或氧化硅层。

优选地，透光性介电层具有相对的远离发光外延叠层的一面侧和面对发光外延叠层的一面侧，其中所述透光性介电层的第一开口的侧壁相对于所述透光性介电层的远离发光外延叠层的一面侧的角度等于或大于90°。

优选地，所述透光性介电层的第一开口的侧壁相对于所述透光性介电层的远离发光外延叠层的一面侧的角度为110~170°。

优选地，所述的粘附层覆盖透光性介电层的第一开口部分侧壁或全部侧壁。