[发明专利]自动平衡谐振能量方法及所用装置有效

专利信息
申请号: 202110170565.4 申请日: 2021-02-08
公开(公告)号: CN112886826B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 孙建中;翁大丰 申请(专利权)人: 杭州欧佩捷科技有限公司
主分类号: H02M3/338 分类号: H02M3/338
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 金祺
地址: 310052 浙江省杭州市滨江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 自动 平衡 谐振 能量 方法 所用 装置
【权利要求书】:

1.自动平衡谐振能量装置,其特征是:

包括功能模块M、输出隔离变压器、MOS管Q1、MOS管Q2、原边MOS管Q、至少一套的谐振复位电路;

功能模块M根据内部系统逻辑电路和反馈电压,控制MOS管Q1或MOS管Q2导通/截止;

功能模块M根据内部系统逻辑电路和反馈电压FB1和FB2,控制MOS管Q1或MOS管Q2导通/截止;

所述输出隔离变压器包括原边绕组Np、副边绕组Ns、复位绕组Nt1、复位绕组Nt2;

振复位电路为两套;

一套谐振复位电路为:电阻Ru1和电阻Rd1先串联,然后与谐振电容Cr1、二极管Dr1并联后,电阻Rd1接地;电阻Ru1与复位绕组Nt1的非同名端相连;

另一套谐振复位电路为:电阻Ru2和电阻Rd2先串联,然后与谐振电容Cr2、二极管Dr2并联后,电阻Rd 2接地;电阻Ru2与复位绕组Nt2的非同名端相连;

功能模块M的引脚DR1与MOS管Q1的栅极相连;MOS管Q1的源极接地,MOS管Q1的漏极与复位绕组Nt1的同名端相连;MOS管Q1控制谐振电容Cr1,二极管Dr1,复位绕组Nt1以及电阻Ru1和电阻Rd1的分压网络构成的谐振复位电路;

功能模块M的引脚DR2与MOS管Q2的栅极相连;MOS管Q2的源极接地,MOS管Q2的漏极与复位绕组Nt2的同名端相连;MOS管Q2控制谐振电容Cr2,二极管Dr2,复位绕组Nt2以及电阻Ru2和Rd2的分压网络构成的谐振复位电路;

功能模块M的引脚FB1与电阻RU1和电阻RD1的连接点相连,反馈谐振电容上电压波形的峰值以及谷值,功能模块根据谐振电容上电压波形控制MOS管Q1导通截止;

功能模块M的引脚FB2与电阻RU2和电阻RD2的连接点相连,反馈谐振电容上电压波形的峰值以及谷值,功能模块根据谐振电容上电压波形控制MOS管Q2导通截止;

功能模块M的引脚DR与原边MOS管Q的栅极相连;原边MOS管Q的漏极与原边绕组Np的非同名端相连;原边MOS管Q的源极分别与功能模块M的引脚Ss、电阻RS相连,电阻RS接地;

VIN为原边输入电压,VIN的一端与原边绕组Np的同名端相连,VIN的另一端接地;

副边绕组Ns与副边输出电路部分的输入端口相连。

2.自动平衡谐振能量装置,其特征是:

包括功能模块M、输出隔离变压器、MOS管Q1、MOS管Q2、原边MOS管Q、至少一套的谐振复位电路;

功能模块M根据内部系统逻辑电路和反馈电压,控制MOS管Q1或MOS管Q2导通/截止;

功能模块M根据内部系统逻辑电路和反馈电压FB或者以及MOS管Q1和Q2的体二极管电流信息,控制MOS管Q1或MOS管Q2导通/截止;MOS管Q1控制谐振电容Cr1的谐振复位网络;MOS管Q2控制谐振电容Cr2的谐振复位网络;

所述输出隔离变压器包括原边绕组Np、副边绕组Ns、复位绕组Nt;

谐振复位电路为一套;

所述谐振复位电路为:谐振电容Cr1、二极管Dr1先并联,然后与MOS管Q1的漏极相连;谐振电容Cr2、二极管Dr2先并联,然后与MOS管Q2的漏极相连;

MOS管Q1的栅极与功能模块M的引脚DR1相连,MOS管Q1的源极接功能模块M的引脚Cs;MOS管Q2的栅极与功能模块M的引脚DR2相连,MOS管Q2的源极接功能模块M的引脚Cs;在功能模块M中,Cs引脚与功能模块M的地之间有电阻连接;

复位绕组Nt的同名端与以下端点分别相连:功能模块M的引脚FB、谐振电容Cr1、二极管Dr1、谐振电容Cr2、二极管Dr2;复位绕组Nt的非同名端接地;

功能模块M的引脚DR与原边MOS管Q的栅极相连;原边MOS管Q的漏极与原边绕组Np的非同名端相连;原边MOS管Q的源极分别与功能模块M的引脚Ss、电阻Rs相连,电阻Rs接地;

VIN为原边输入电压,VIN的一端与原边绕组Np的同名端相连,VIN的另一端接地;

副边绕组Ns与副边输出电路部分输入端口相连。

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