[发明专利]一种背进音式MEMS麦克风结构及其封装结构

说明书

本发明提供一种背进音式MEMS麦克风结构及其封装结构，该背进音式MEMS麦克风结构包括位于振膜与基板之间的导电结构，在振膜与基板形成结构连接，由于振膜材料和基板均具有导电性，所以二者之间同时也实现了电性连接。其中，导电结构可以包括位于支架外侧壁的第一导电部、位于支架内侧壁的第二导电部，还可以包括位于支架内的第三导电部，可以加强振膜与基板之间的电性连接效果。本发明封装结构包括电路板、金属封装外壳、上述MEMS麦克风结构及专用集成电路，该封装结构能够实现背极位于由振膜、基板、电路板和金属封装外壳共同组成的法拉第笼中，达到有效屏蔽外界射频干扰信号的作用，有效提升背进音式MEMS麦克风的抗射频干扰能力。

技术领域

本发明属于麦克风技术领域，涉及一种背进音式MEMS麦克风结构及其封装结构。

背景技术

现今的智能手机和智能音箱中使用的都是用微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，简称MEMS)技术制造的麦克风。这种麦克风具有体积小、功耗低、性能优异、一致性好、便于装配等特点。实际应用中，当手机和无线IoT设备等传输数据时，天线会通过多种方式拾取噪声。例如，专用集成电路(ASIC)中的二极管结会对射频信号进行整流，该整流信号的包络会在麦克风的输出声音中产生噪声。所以MEMS麦克风的一个重要发展趋势是抗射频(RF)干扰。MEMS麦克风本身的金属封装外壳可以起到一定程度的电磁屏蔽作用。

如何进一步提高MEMS麦克风的抗射频干扰能力，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种背进音式MEMS麦克风结构及其封装结构，用于解决现有技术中MEMS麦克风的抗射频干扰能力较差的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种背进音式MEMS麦克风结构，包括：

基板，所述基板中设有在垂直方向上贯穿所述基板的空腔；

振膜，悬设于所述空腔上方；

支架，位于所述振膜与所述基板之间以支撑所述振膜；

导电结构，位于所述振膜与所述基板之间以电连接所述振膜与所述基板；

背极，位于所述振膜上方，且所述背极与所述振膜之间具有气隙，所述背极中设有多个在垂直方向上贯穿所述背极的第一声孔，所述第一声孔与所述气隙连通；

背板，与所述基板及所述背极连接，所述背板中设有多个在垂直方向上贯穿所述背板的第二声孔，所述第二声孔与所述第一声孔连通。

可选地，所述导电结构与所述支架连接。

可选地，所述导电结构包括位于所述支架外侧壁的第一导电部。

可选地，所述导电结构包括位于所述支架内侧壁的第二导电部。

可选地，所述导电结构包括在垂直方向上贯穿所述支架的第三导电部，所述第三导电部的侧壁被所述支架所包围。

可选地，在所述振膜的中心指向所述振膜的边缘方向上，所述导电结构包括由内而外间隔排列的至少两个所述第三导电部。

可选地，所述第三导电部呈连续的环状结构或断续的环状结构。

可选地，所述环状结构包括圆环、多边形环中的一种。

可选地，所述MEMS麦克风结构还包括与所述背极电连接的背极引出电极及与所述振膜电连接的振膜引出电极。

可选地，所述背板的下表面设有多个阻挡块，所述阻挡块在垂直方向上贯穿所述背极，且所述阻挡块的下表面低于所述背极的下表面。

可选地，所述MEMS麦克风结构还包括泄气孔，所述泄气孔在垂直方向上贯穿所述振膜。