[发明专利]一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极表面制备转换层；

在所述转换层远离所述底电极一侧的表面制备阻变层；

在所述阻变层远离所述底电极一侧的表面制备顶电极；

其中，所述转换层的材料为钛掺杂的氧化铌；

在所述底电极表面制备转换层具体包括：

以金属钛、五氧化二铌为靶材，利用磁控溅射法在所述底电极表面共沉积得到钛掺杂的氧化铌即为转换层；

所述阻变层的材料为氮化硅材料，所述阻变层的制备方法具体为：

以氮化硅为靶材，利用磁控溅射法在所述转换层表面制备得到氮化硅即为阻变层；

五氧化二铌靶材溅射功率为40～60W，金属钛靶材溅射功率为15～30W。

2.如权利要求1所述的基于掺钛氧化铌的1S1R器件的制备方法，其特征在于，所述底电极的材料为Ti、Pt、W或TiN中的一种；所述顶电极的材料为Pt或Ti中的一种。

3.如权利要求1所述的基于掺钛氧化铌的1S1R器件，其特征在于，所述底电极的厚度为180～220nm，所述转换层的厚度为80～100nm，所述阻变层的厚度为40～60nm，所述顶电极的厚度为60～100nm。

4.如权利要求1所述的基于掺钛氧化铌的1S1R器件，其特征在于，所述顶电极的形状为矩形或圆形，所述矩形的边长为50～1000μm，所述圆形的直径为50～1000μm。

5.如权利要求2所述的基于掺钛氧化铌的1S1R器件的制备方法，其特征在于，所述顶电极的材料为Ti，所述顶电极的制备方法具体为：

以钛为靶材，利用磁控溅射法在所述阻变层表面制备得到钛即为顶电极。