[发明专利]晶闪干粒、晶闪陶瓷砖及其制备方法

权利要求书

1.一种晶闪干粒，其特征在于，该晶闪干粒的原料包括按重量份数计的如下组分：锆英石0.3~8份、石英55~68份、硼酸18~45份、刚玉0~5份、碱金属氧化物4~10份、碳酸锂0.2~6份，所述锆英石为侵入岩的副产物。

2.如权利要求1所述的晶闪干粒，其特征在于，所述侵入岩包括辉长岩、闪长岩和花岗岩中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的晶闪干粒，其特征在于，所述晶闪干粒的粒径为80~150目。

4.如权利要求1所述的晶闪干粒，其特征在于，所述晶闪干粒的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：ZrO₂：0.3~8%、SiO₂：65～80%、Al₂O₃：0～6%、B₂O₃：10～25%、碱金属氧化物：5~12%、Li₂O：0.1~3%，烧失：小于0.6%。

5.如权利要求1所述的晶闪干粒，其特征在于，所述碱金属氧化物包括氧化钾和氧化钠，所述氧化钾和氧化钠的重量比为2~6：3~8。

6.一种制备权利要求1~5任一项所述的晶闪干粒的方法，其特征在于，按重量份数称取除锆英石以外的所述原料并进行混合，经过熔制、水淬后得到透明玻璃体；将所述透明玻璃体破碎，得到基础干粒，将所述基础干粒与锆英石混合，即得到所述晶闪干粒。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述熔制的温度为1300~1500℃。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述透明玻璃体破碎后，再将所述基础干粒与所述锆英石的混合物筛分成所需要的颗粒级配，即得到所述晶闪干粒。

9.一种晶闪陶瓷砖，其特征在于，包括权利要求1~5任一项所述的晶闪干粒。

10.一种权利要求9所述的晶闪陶瓷砖的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

a1.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

b1.提供晶闪保护釉浆，所述晶闪保护釉浆包括晶闪干粒、保护釉以及悬浮剂，在所述砖坯的表面根据图案设计施所述晶闪保护釉浆；

c1.在步骤b1得到的砖坯的表面布一次烧干粒；

d1.在步骤c1得到的砖坯表面施胶水；

e1.将步骤d1得到的砖坯入窑烧成，即得到所述晶闪陶瓷砖。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，步骤b1中，所述晶闪保护釉浆的比重为1.5~1.6，施量为360~460g/m²，所述晶闪保护釉浆包括按重量百分比计的如下组分：晶闪干粒5~15%，悬浮剂60~70%，保护釉20~30%，所述保护釉的比重为1.8~1.9，所述保护釉包括按重量百分比计的如下组分：石英30~35%、钾长石22~28%、高岭土8~15%、钠长石16~25%、氧化锌6~16%。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述保护釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO₂：60~65%、Al₂O₃：8~12%、CaO：0~1%、MgO：0~1%、K₂O：2~4%、Na₂O：3~5%、ZnO：4~12%。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，步骤c1中，所述一次烧干粒的粒径为60~200目，施量为300~500g/m²，所述一次烧干粒包括按重量百分比计的如下组分：石英2~8%、钠长石30~50%、钾长石20~30%、白云石12~18%、方解石16~26%、碳酸钡6~12%、氧化锌6~12%。