[发明专利]一种免切割的柔性砷化镓太阳电池及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202110169244.2 申请日: 2021-02-07
公开(公告)号: CN112510122B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 肖祖峰;丁亮;丁杰;何键华;黄嘉敬 申请(专利权)人: 中山德华芯片技术有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/02;H01L31/0304
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 伍传松
地址: 528437 广东省中山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 切割 柔性 砷化镓 太阳电池 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种免切割的柔性砷化镓太阳电池制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

S100、在砷化镓衬底上生长一外延层;

S200、在所述外延层上制备作为正电极的柔性衬底;

S300、剥离去除所述砷化镓衬底,得到带有所述柔性衬底的外延层薄膜;

S400、在所述柔性衬底上背向所述外延层的一面贴合一临时刚性衬底;

S500、在所述外延层薄膜剥离所述砷化镓衬底的一面制备至少两个间隔设置的负电极;

S600、在所述负电极的周围制备减反射膜,且相邻两个所述负电极周围的减反射膜之间预留有未覆盖减反射膜的分割区,所述分割区与芯片尺寸要求一致;

S700、在所述负电极及减反射膜上覆盖光刻胶;

S800、根据芯片尺寸要求将分割区的外延层及柔性衬底腐蚀,并去除光刻胶;

S900、去除所述临时刚性衬底,制得柔性砷化镓太阳电池。

2.根据权利要求1所述的柔性砷化镓太阳电池制作方法,其特征在于:所述步骤S100中的外延层为依次生长在所述砷化镓衬底上的AlAs牺牲层、GaInP顶电池、中顶隧穿结、GaAs中电池、中底隧穿结、InGaAs底电池。

3.根据权利要求2所述的柔性砷化镓太阳电池制作方法,其特征在于:所述步骤S200中的柔性衬底为位于所述InGaAs底电池上的金属衬底,该金属衬底由Pd、Cu组成。

4.根据权利要求2所述的柔性砷化镓太阳电池制作方法,其特征在于:所述步骤S300中剥离去除所述砷化镓衬底通过浸入HF溶液中,将所述AlAs牺牲层腐蚀掉,以使所述砷化镓衬底脱落。

5.根据权利要求2所述的柔性砷化镓太阳电池制作方法,其特征在于:所述步骤S800中分别采用由盐酸、氢溴酸、重铬酸钾、乙酸组成的混合溶液将所述分割区的GaInP顶电池、中顶隧穿结、GaAs中电池、中底隧穿结、InGaAs底电池腐蚀掉,以及采用王水和Cu蚀刻液浸泡将所述分割区的柔性衬底腐蚀掉。

6.根据权利要求1所述的柔性砷化镓太阳电池制作方法,其特征在于:所述步骤S400中贴合所述临时刚性衬底是通过耐酸碱的双面热解胶,双面热解胶的两面分别贴合柔性衬底和所述临时刚性衬底。

7.根据权利要求6所述的柔性砷化镓太阳电池制作方法,其特征在于:所述步骤S900中通过加热所述临时刚性衬底使所述柔性衬底从所述双面热解胶上脱落。

8.根据权利要求1所述的柔性砷化镓太阳电池制作方法,其特征在于:所述步骤S500中的负电极采用光刻、金属蒸镀、撕金去胶的方法制作而成。

9.根据权利要求1所述的柔性砷化镓太阳电池制作方法,其特征在于:所述步骤S600中的减反射膜采用光刻、TiO2/Al2O3 蒸镀、去胶的方法制作而成。

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