[发明专利]显示面板、显示面板的制备方法及显示装置在审
申请号: | 202110164485.8 | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN112909066A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 王国超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王红红 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。本发明所述显示面板包括:基板;第一有源层,设置于所述基板上;第二有源层,间隔设置于所述第一有源层上;第一金属层,通过第一过孔与所述第一有源层连接;以及第二金属层,通过第二过孔与所述第二有源层连接;其中所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内,如此设计以实现在显示面板的垂直方向上套设两个TFT,从而有效解决指纹识别电路集成在显示面板内所产生空间不足的问题,并且提高了显示面板的可靠性。
技术领域
本发明涉及面板技术,尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。
背景技术
目前屏下指纹原理,都是需要利用显示屏下方的光学指纹模组来发射光束,通过显示屏对手指的纹路进行发射,再用显示面板内部的识别软件进行识别对比,完成解锁。若要得到清晰的识别手指纹路,对显示屏的透过光要求是十分高,得益于有机发光二极管(OrganicLightEmitting Diode,简称OLED)的超薄、超高透光等特性。目前屏下指纹识别都是采用OLED显示面板,采用这种外挂式指纹传感器是由于自身限制无法进行全屏多点指纹识别,也无法使用在柔性显示屏上。
将光电指纹模组集成在显示面板内是未来的技术趋势,其具有高集成化、全屏多点指纹识别、高屏占比、可卷曲等特点,简称屏内光敏指纹。然而采用屏内光敏指纹的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)通过同一个平面来布局设计可能会无法满足空间上的要求。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,有效解决了采用屏内光敏指纹的薄膜晶体管通过同一个平面来布局设计而无法满足空间要求的问题。
根据本发明的一方面,本发明提供一种显示面板,所述显示面板包括:包括:基板;第一有源层,设置于所述基板上;第二有源层,间隔设置于所述第一有源层上;第一金属层,通过第一过孔与所述第一有源层连接;以及第二金属层,通过第二过孔与所述第二有源层连接;其中所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内。
进一步地,所述显示面板还包括二极管,所述二极管设置在第二金属层上;所述二极管包括依次层叠设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层。
进一步地,所述二极管为PIN型二极管;所述第一半导体层的材料为N型非晶硅;所述本征半导体层的材料为非晶硅;所述第二半导体层的材料为P型非晶硅。
进一步地,所述显示面板还包括:第一绝缘层,部分覆盖于所述第一有源层上;第三金属层,设置于所述第一绝缘层上;以及第二绝缘层,部分覆盖于所述第三金属层上。
进一步地,所述显示面板还包括:第四金属层,设置于所述第二绝缘层上;第一介电层,部分覆盖于所述第四金属层上;其中所述第二有源层设置于所述第一介电层上。
进一步地,所述显示面板还包括:第三绝缘层,部分覆盖于所述第二有源层上;以及第五金属层,设置于所述第三绝缘层上。
进一步地,所述第一金属层与所述显示面板的阳极连接,用于控制显示面板的发光。
进一步地,所述第一有源层的材料为低温多晶硅半导体材料,所述第二有源层的材料为金属氧化物半导体材料或非晶硅半导体材料。
根据本发明的另一方面,本发明提供一种显示面板的制备方法,包括步骤:提供一基板;在所述基板上形成第一有源层;在所述基板上形成第二有源层,间隔设置于所述第一有源层上;在所述基板上形成第一金属层,并通过第一过孔与所述第一有源层连接;以及在所述基板上形成第二金属层,并通过第二过孔与所述第二有源层连接;其中所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内。
根据本发明的另一方面,本发明提供一种显示装置,包括本发明实施例任一所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的