[发明专利]一种集流体及其应用有效

专利信息
申请号: 202110162584.2 申请日: 2021-02-05
公开(公告)号: CN112993262B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 赵伟;唐伟超;李素丽 申请(专利权)人: 珠海冠宇电池股份有限公司
主分类号: H01M4/66 分类号: H01M4/66;H01M4/70;H01M10/0525
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张娜;臧建明
地址: 519180 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 流体 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种集流体,其特征在于,包括中间层及设置在所述中间层两个功能表面的第一导电层和第二导电层,所述中间层包括聚合物和发泡材料;

所述聚合物在25℃下的线性热膨胀系数α≥10-5 K-1

所述发泡材料选自三聚氰胺、三聚氰胺一酰胺、六甲醇基三聚氰胺、尿素、双氰胺、碳酸氢钠、碳酸镁、偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸钡、偶氮二羧酸钡、对甲苯磺酰肼、苯磺酰肼、4,4’-氧代双苯磺酰肼、3,3’-二磺酰肼二苯砜、碳酸氢钠、N,N'-二甲基-N,N'-二亚硝基对苯二甲酰胺、1,3-苯二磺酰肼、对甲苯磺酰氨基脲、4,4’-氧代双(苯磺酰氨基脲)、三肼基三嗪或二亚硝基五亚甲基四胺中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的集流体,其特征在于,所述中间层的厚度为0.5-10μm;和/或,

所述第一导电层和第二导电层的厚度分别为0.1-5μm。

3.根据权利要求1所述的集流体,其特征在于,所述中间层的临界温度为105-350℃。

4.根据权利要求1-3任一项所述的集流体,其特征在于,基于所述中间层的总质量,所述发泡材料的质量百分含量为0.1-20%。

5.根据权利要求1-3任一项所述的集流体,其特征在于,所述中间层还包括调节剂;

基于所述中间层的总质量,所述调节剂的质量百分含量为0.01-2%;

所述调节剂选自硬脂酸、硬脂酸锌、硬脂酸钙、硬脂酸锂、硫酸锌或氧化锌中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的集流体,其特征在于,所述中间层还包括调节剂;

基于所述中间层的总质量,所述调节剂的质量百分含量为0.01-2%;

所述调节剂选自硬脂酸、硬脂酸锌、硬脂酸钙、硬脂酸锂、硫酸锌或氧化锌中的至少一种。

7.根据权利要求1-3、6任一项所述的集流体,其特征在于,所述中间层还包括导电添加剂;

基于所述中间层的总质量,所述导电添加剂的质量百分含量为0.01-5%;

所述导电添加剂选自铜粉、铝粉、镍粉、银粉、钛粉、镍铜合金粉、铝锆合金粉、石墨、炭黑、石墨烯或碳纳米管中的至少一种。

8.根据权利要求4所述的集流体,其特征在于,所述中间层还包括导电添加剂;

基于所述中间层的总质量,所述导电添加剂的质量百分含量为0.01-5%;

所述导电添加剂选自铜粉、铝粉、镍粉、银粉、钛粉、镍铜合金粉、铝锆合金粉、石墨、炭黑、石墨烯或碳纳米管中的至少一种。

9.根据权利要求1-3、6、8任一项所述的集流体,其特征在于,所述中间层还包括无机填料;

基于所述中间层的总质量,所述无机填料的质量百分含量为0.01-5%;

所述无机填料选自氧化铝、碳化硅、氧化硅、玻璃纤维、二氧化钛、二氧化锆、氢氧化镁、氢氧化铝、勃姆石、硫酸钡、钛酸钡、钛酸铝、氧化锌、氮化硼、氮化铝、氮化镁、凹凸棒石、磷酸锌或硼酸锌中的至少一种。

10.一种极片,其特征在于,包含权利要求1-9任一项所述的集流体。

11.一种电化学装置,其特征在于,包含权利要求10所述的极片。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海冠宇电池股份有限公司,未经珠海冠宇电池股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110162584.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top