[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

重分布结构，所述重分布结构具有前表面和后表面,所述重分布结构至少包括三层的金属层，中间层金属层具有多个孔洞，所述多个孔洞形成网状结构；

处理器芯片，所述处理器芯片具有有源侧和背侧，所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构的前表面，所述处理器芯片的有源侧具有钝化层；

绝缘层，所述绝缘层位于所述钝化层和所述重分布结构之间；

电容，所述电容位于所述重分布结构的后表面，所述电容位于所述处理器芯片的垂直投影之内；

焊料凸块；

金属柱，所述金属柱设置在所述处理器芯片旁，所述金属柱具有第一端和第二端，所述第一端连接到所述重分布结构，所述第二端连接到所述焊料凸块；以及

模塑材料，所述模塑材料围绕所述金属柱；

其中，所述重分布结构和所述处理器芯片之间形成凹部，所述处理器芯片的芯片边缘和所述绝缘层的外缘之间有水平位移。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述中间层金属层包括金属迹线，所述金属迹线位于所述多个孔洞之间，所述孔洞的宽度大于所述金属迹线的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述重分布结构包括多个导电通孔，所述多个导电通孔包括底部和环状折边。

4.一种电子器件，其特征在于，包括：

重分布结构，所述重分布结构具有前表面和后表面，所述重分布结构至少包括三层的金属层，中间层金属层包括多个孔洞，所述多个孔洞形成网状结构；

处理器芯片，所述处理器芯片具有有源侧和背侧，所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构的前表面，所述处理器芯片的有源侧具有钝化层；

绝缘层，所述绝缘层位于所述钝化层和所述重分布结构之间；

第一组焊料凸块；

第二组焊料凸块,所述第二组焊料凸块连接于所述重分布结构的后表面；

多个导电柱，所述多个导电柱连接到所述第一组焊料凸块，所述多个导电柱连接到所述重分布结构的前表面；

模塑材料，所述模塑材料围绕所述多个导电柱；以及

DRAM模块，所述DRAM模块连接到所述第一组焊料凸块；

其中，所述重分布结构的面积大于所述DRAM模块面积；以及

其中，所述重分布结构和所述处理器芯片之间形成凹部，所述处理器芯片的芯片边缘和所述绝缘层的外缘之间有水平位移。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述重分布结构包括多个导电通孔，所述多个导电通孔包括底部和环状折边。