[发明专利]包含阈值电压经补偿感测放大器的设备和用于补偿所述设备的方法在审
| 申请号: | 202110160877.7 | 申请日: | 2021-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN113284529A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
| 发明(设计)人: | 李奎锡 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | G11C8/08 | 分类号: | G11C8/08;G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包含 阈值 电压 补偿 放大器 设备 用于 方法 | ||
1.一种设备,其包括:
第一上拉晶体管,其耦合到第一电源节点;
第二上拉晶体管,其耦合到所述第一电源节点;
第一下拉晶体管,其耦合到第二电源节点;
第二下拉晶体管,其耦合到所述第二电源节点;
第一隔离晶体管,其耦合到所述第一上拉晶体管和第一下拉晶体管也耦合到的第一感测节点,且所述第一隔离晶体管进一步耦合到所述第二下拉晶体管的栅极;
第二隔离晶体管,其耦合到所述第二上拉晶体管和第二下拉晶体管也耦合到的第二感测节点,且所述第二隔离晶体管进一步耦合到所述第一下拉晶体管的栅极;
均衡晶体管,其耦合到所述第一和第二下拉晶体管的所述栅极;和
预充电晶体管,其耦合到所述第二电源节点并且进一步耦合到所述第一或第二下拉晶体管的所述栅极。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一隔离晶体管进一步耦合到所述第二上拉晶体管的栅极且所述第二隔离晶体管进一步耦合到所述第一上拉晶体管的栅极。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一上拉晶体管的栅极耦合到所述第二感测节点且所述第二上拉晶体管的所述栅极耦合到所述第一感测节点。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一感测节点被配置成耦合到第一数字线且所述第二感测节点被配置成耦合到第二数字线。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一和第二上拉晶体管包括p型晶体管且所述第一和第二下拉晶体管包括n型晶体管。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一和第二上拉晶体管、所述第一和第二下拉晶体管、所述第一和第二隔离晶体管、所述均衡晶体管和所述预充电晶体管包含在感测放大器中,且其中第一电源节点被配置成接收第一电源电压且所述第二电源节点被配置成接收第二电源电压,且所述第一和第二电源电压在所述感测放大器的操作期间发生改变。
7.根据权利要求1所述的设备,其中所述均衡晶体管和预充电晶体管被配置成经激活,所述第一和第二隔离晶体管被配置成经解除激活,且所述第二电源节点被配置成与所述第一电源节点相比接收较高电源电压,这些操作全部是在阈值电压补偿阶段期间。
8.一种设备,其包括:
第一上拉晶体管,其耦合到第一电源节点;
第二上拉晶体管,其耦合到所述第一电源节点;
第一下拉晶体管,其耦合到第二电源节点并且具有耦合到第一感测节点的栅极;
第二下拉晶体管,其耦合到所述第二电源节点并且具有耦合到第二感测节点的栅极;
第一隔离晶体管,其耦合到所述第一上拉晶体管并且在第一连线节点处进一步耦合到所述第一下拉晶体管;
第二隔离晶体管,其耦合到所述第二上拉晶体管并且在第二连线节点处进一步耦合到所述第二下拉晶体管;
第一均衡晶体管,其耦合到所述第一连线节点和所述第一感测节点;
第二均衡晶体管,其耦合到所述第二连线节点和所述第二感测节点;
第三隔离晶体管,其耦合到所述第二感测节点和所述第一连线节点;和
第四隔离晶体管,其耦合到所述第一感测节点和所述第二连线节点。
9.根据权利要求8所述的设备,其中所述第一上拉晶体管的栅极耦合到所述第二连线节点且所述第二上拉晶体管的栅极耦合到所述第一连线节点。
10.根据权利要求8所述的设备,其中所述第一和第二隔离晶体管被配置成响应于作用中第一激活信号而被激活且所述第三和第四隔离晶体管被配置成响应于作用中第二激活信号而被激活。
11.根据权利要求8所述的设备,其中所述第一和第二均衡晶体管响应于激活均衡控制信号而被激活。
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