[发明专利]环电极结构的超高频谐振器在审

专利信息
申请号: 202110160241.2 申请日: 2021-02-05
公开(公告)号: CN112994647A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 孙成亮;罗天成;刘炎;邹杨;周杰;谢英;徐沁文;高超 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H03H9/24 分类号: H03H9/24;H03H9/02
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 肖明洲
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 电极 结构 超高频 谐振器
【权利要求书】:

1.一种环电极结构的超高频谐振器,其特征在于:包括压电层和环绕在压电层四周的环电极;单个环电极以环状分布在压电层四周,多个环电极沿着压电材料长度方向分布;所述环电极分为第一环电极阵列和第二环电极阵列,所述第一环电极阵列和第二环电极阵列分布施加正负电压激励;所述第一环电极阵列、第二环电极阵列中相邻的电极之间的距离与电极的宽度之比在10以下从而激发兰姆波,或者在10以上从而激发横向剪切体声波。

2.根据权利要求1所述的环电极结构的超高频谐振器,其特征在于:所述压电层的材料为氮化铝、氧化锌、铌酸锂、PZT或铌酸钡钠中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的环电极结构的超高频谐振器,其特征在于:所述环电极的材料为钼、铂、金、银、铝、钨、钛、钌、铜或铬中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1或2所述的环电极结构的超高频谐振器,其特征在于:所述第一环电极阵列内相邻电极间的距离m1,第二环电极阵列内相邻电极间的距离m2,m1与m2相等或者不相等;所述第一环电极阵列和第二环电极阵列间相邻电极的距离n1,第一环电极阵列内相邻电极间的距离m1、第二环电极阵列内相邻电极间的距离m2,n1、m1与m2相等或者不相等。

5.根据权利要求3环电极结构的超高频谐振器,其特征在于:所述第一环电极阵列内相邻电极间的距离m1,第二环电极阵列内相邻电极间的距离m2,m1与m2相等或者不相等;所述第一环电极阵列和第二环电极阵列间相邻电极的距离n1,第一环电极阵列内相邻电极间的距离m1、第二环电极阵列内相邻电极间的距离m2,n1、m1与m2相等或者不相等。

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