[发明专利]降低叠氮化亚铜薄膜静电感度的方法有效
| 申请号： | 202110159634.1 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112899746B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 张文超;杨格行;俞春培;陈亚杰;徐建勇;宋长坤;陈俊宏;刘佳琪;邬润辉 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C25D9/02 | 分类号： | C25D9/02;C25D5/54;C25D5/18;C25D21/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 氮化 薄膜 静电 方法 | ||
【权利要求书】：
1.降低叠氮化亚铜薄膜静电感度的方法，其特征在于，具体步骤为：
以具有微纳米结构的叠氮化亚铜薄膜为阳极，以含吡咯的对甲苯磺酸钠水溶液为电解液，在通电条件下吡咯在阳极完成聚合反应，聚合反应时间为5～10分钟，反应结束后，干燥，得到含聚吡咯/叠氮化亚铜的薄膜，所述的通电条件为恒电流模式，电流密度为0 .1～1mA/cm2。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的含吡咯的溶液pH为9。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的含吡咯的溶液中，对甲苯磺酸钠浓度为0.1mol/L，吡咯浓度为0.4mol/L。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的微纳米结构为多孔结构或者纳米阵列结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的叠氮化亚铜薄膜采用高纯铜箔通过电化学叠氮法制备。
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