[发明专利]一种黑矩阵形成方法、显示模组及显示装置

说明书

本发明提供一种黑矩阵形成方法、显示模组及显示装置，黑矩阵形成方法包括将黑色靶材置于有磁场的平台；将目标板与黑色靶材相对放置，目标板上待形成黑矩阵的一面与黑色靶材相对；利用掩膜遮盖目标板上对应于发光器件的第一区域，并通过磁控溅射使黑色靶材沉积至目标板的表面形成黑矩阵。通过磁控溅射和掩膜形成黑矩阵，精度高，形成的黑矩阵厚度可以较薄，且透光率可以较低，能够保证显示模组的出光效果和对比度。

技术领域

本发明涉及显示装置领域，尤其涉及一种黑矩阵形成方法、显示模组及显示装置。

背景技术

对于例如mini LED(mini Light Emitting Diode，次毫米发光二极管)屏幕等显示屏而言，为了提升显示的对比度，可以在显示模组的电路基板表面或保护胶体表面，通过喷墨打印、丝印、喷涂、涂覆等方式设置黑矩阵，这些黑矩阵有效减小不同像素之间的串光，提升对比度。

在一些显示模组中，黑矩阵形成的厚度、精度对于显示模组的出光角度、出光均匀度甚至外观等均存在影响，随着显示模组中像素之间的距离越来越小，黑矩阵对于显示模组的出光效果影响的程度指数上升。

发明内容

本发明提供一种黑矩阵形成方法、显示模组及显示装置，主要解决的技术问题是：传统的黑矩阵形成方式精度低，且厚度厚。

为解决上述技术问题，本发明提供一种黑矩阵形成方法，包括将黑色靶材置于有磁场的平台；

将目标板与所述黑色靶材相对放置，所述目标板上待形成黑矩阵的一面与所述黑色靶材相对；

利用掩膜遮盖所述目标板上对应于发光器件的第一区域，并通过磁控溅射使所述黑色靶材沉积至所述目标板的表面形成黑矩阵。

可选的，所述利用掩膜遮盖所述目标板上对应于发光器件的区域，并通过磁控溅射使所述黑色靶材沉积至所述目标板的表面形成黑矩阵包括：

使用至少两块不同的掩膜板，分别对所述目标板进行至少一次磁控溅射；

当使用各个掩膜板完成磁控溅射后，所述目标板上除所述第一区域以外的区域沉积有所述黑色靶材。

可选的，所述利用掩膜遮盖所述目标板上对应于发光器件的区域，并通过磁控溅射使所述黑色靶材沉积至所述目标板的表面形成黑矩阵具体包括：

在所述目标板上设置第一掩膜板，所述第一掩膜板遮盖所述目标板上的所述第一区域以及第二区域；

对所述目标板进行溅射，使所述黑色靶材沉积至所述目标板上除所述第一区域以及第二区域以外的区域上；

移走所述第一掩膜板，在所述目标板上设置第二掩膜板，所述第二掩膜板遮盖所述目标板上的所述第一区域以及第三区域；

再次对所述目标板进行溅射，使所述黑色靶材沉积至所述目标板上除所述第一区域以及第三区域以外的区域上；

所述第二区域与所述第三区域不重叠。

可选的，所述利用掩膜遮盖所述目标板上对应于发光器件的区域，并通过磁控溅射使所述黑色靶材沉积至所述目标板的表面形成黑矩阵包括：

在所述目标板上形成掩膜层，所述掩膜层遮盖所述第一区域；

对形成有所述掩膜层的所述目标板进行磁控溅射，使所述黑色靶材沉积至所述目标板上所述第一区域以外的区域。

可选的，所述在所述目标板上形成掩膜层包括：

在所述目标板上待形成黑矩阵的一面覆上掩膜材料；

去除所述目标板上所述第一区域以外的区域的所述掩膜材料以形成所述掩膜层。

可选的，所述去除所述目标板上所述第一区域以外的区域的所述掩膜材料包括：