[发明专利]半密闭共晶贴片装置及共晶贴片方法

权利要求书

1.一种半密闭共晶贴片装置，其特征在于，包括：

半密闭腔体；

加热台，设置在所述半密闭腔体中；

真空吸取设备，至少包括吸头杆和吸头，所述吸头设置在所述吸头杆上，所述吸头远离所述吸头杆的一端为吸附端，所述吸附端上设有吸附孔，且至少在所述吸附端的边缘位置处，所述吸附孔的开口沿着所述吸附端到所述吸头杆的方向逐渐收缩；

自动识别设备，能自动识别出管壳、焊料及芯片并反馈给所述真空吸取设备；

其中，所述吸附孔可用于推动所述芯片进行水平横向摩擦，在推动所述芯片进行水平横向摩擦时，所述吸头的吸附端与所述芯片无紧密接触且所述吸附孔的下端面不脱离所述芯片的上表面。

2.根据权利要求1所述的半密闭共晶贴片装置，其特征在于，所述半密闭腔体的顶部设有开口，所述半密闭腔体的底部设有与外界连通的第一管道。

3.根据权利要求1或2所述的半密闭共晶贴片装置，其特征在于，所述吸头杆内部设有第二管道，所述第二管道与所述吸附孔连通；所述吸头杆包括刚性吸头杆，所述吸头包括刚性吸头。

4.根据权利要求1所述的半密闭共晶贴片装置，其特征在于，所述吸头杆的运动控制部分在所述吸附端到所述吸头杆的方向上具有±5μm的精细运动控制能力。

5.根据权利要求1所述的半密闭共晶贴片装置，其特征在于，所述吸头至少包括：喇叭型吸头。

6.一种共晶贴片方法，其特征在于，包括步骤：

提供半密闭共晶贴片装置，所述半密闭共晶贴片装置包括半密闭腔体、加热台及真空吸取设备，所述加热台设置在所述半密闭腔体中，所述真空吸取设备至少包括吸头杆和吸头，所述吸头设置在所述吸头杆上，所述吸头远离所述吸头杆的一端为吸附端，所述吸头的吸附端上设有吸附孔，且至少在所述吸附端的边缘位置处，所述吸附孔的开口沿着所述吸附端到所述吸头杆的方向逐渐收缩；

拾取管壳并将其放置于所述加热台上，拾取焊料并将其放置于所述管壳上；

利用所述吸头拾取芯片并将其放置于所述焊料上，而后，抬升所述吸头使得所述吸头的吸附端与所述芯片无紧密接触且所述吸附孔的下端面不脱离所述芯片的上表面；

对所述加热台进行加热，利用所述吸附孔推动所述芯片进行水平横向摩擦。

7.根据权利要求6所述的共晶贴片方法，其特征在于，所述共晶贴片方法还包括步骤：

在共晶贴片过程中，持续通入氮气，所述氮气的流速≥25L/min。

8.根据权利要求6或7所述的共晶贴片方法，其特征在于，利用所述吸头拾取所述芯片并将其放置于所述焊料上的步骤包括：

利用所述吸头真空吸取所述芯片；

移动所述吸头，携带所述芯片进入所述半密闭腔体并向所述焊料下降靠近；

通过所述吸头进行接触检测，当所述焊料对所述吸头的作用力达到2N时停止所述吸头的下降移动，其中，N为所述芯片的重力。

9.根据权利要求8所述的共晶贴片方法，其特征在于，在利用所述吸头拾取所述芯片并将其放置于所述焊料上之后，抬升所述吸头的步骤包括：

对所述吸头释放真空；

将所述吸头竖直向上抬升20μm-40μm，使得所述吸头的吸附端与所述芯片无紧密接触且所述吸附孔的下端面不脱离所述芯片的上表面。

10.根据权利要求9所述的共晶贴片方法，其特征在于，利用所述吸附孔推动所述芯片进行水平横向摩擦时，摩擦运动的轨迹为矩形，摩擦运动的幅度为0.1mm-0.5mm，摩擦1圈至2圈后再回到贴片中心位置，其中，摩擦运动的幅度可根据所述焊料的流散程度需求进行调节控制。