[发明专利]滤波器及其形成方法

权利要求书

1.一种滤波器，其特征在于，包括：衬底，以及依次形成在所述衬底上的下电极层、中间夹层和上电极层，所述下电极层、所述中间夹层和所述上电极层在厚度方向上具有空间重叠的谐振区域，以及所述上电极层还具有相对于所述下电极层横向延伸出的上电极延伸部；

其中，所述中间夹层包括同层设置的压电层和介质层，所述压电层至少形成在所述谐振区域中，所述介质层至少部分形成在所述谐振区域之外的外围区域中，并且所述上电极层的上电极延伸部还至少部分覆盖所述介质层，以使所述上电极延伸部和所述衬底之间夹持有所述介质层。

2.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述介质层还横向延伸至所述谐振区域中的边缘位置并衔接于所述谐振区域中的压电层，以及所述介质层中位于所述谐振区域边缘的部分被覆盖在所述上电极层的下方，以使所述上电极层和所述下电极层在所述谐振区域的边缘位置夹持有所述介质层。

3.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述衬底的电阻值大于1500Ω。

4.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述介质层的介电常数低于所述压电层的介电常数。

5.如权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述介质层的材料包括氧化硅、掺杂二氧化硅、碳氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺、掺杂聚酰亚胺和苯并环丁烯中的至少其中一种。

6.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述上电极层接触覆盖所述压电层和所述介质层。

7.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述衬底中还设置有腔体，所述腔体至少部分位于所述谐振区域中。

8.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，还包括：

引出电极，形成在所述衬底上并位于所述外围区域中，所述中间夹层覆盖所述引出电极，并且所述上电极层的上电极延伸部延伸靠近所述引出电极；以及，

连接件，贯穿所述中间夹层对应于所述引出电极的部分，以使所述连接件的底部连接所述引出电极，所述连接件的顶部延伸覆盖所述上电极延伸部。

9.一种滤波器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成下电极层；

在所述衬底上形成中间夹层，所述中间夹层包括同层设置的压电层和介质层，所述压电层至少部分覆盖所述下电极层，所述介质层至少形成在所述下电极层之外的衬底上；以及，

在所述中间夹层上形成上电极层，所述上电极层形成在所述压电层上，并且还延伸覆盖所述介质层，以使所述上电极层和所述衬底之间夹持有所述介质层。

10.如权利要求9所述的滤波器的形成方法，其特征在于，所述中间介质层的形成方法包括：

在所述衬底上形成压电层，并在所述压电层至少位于所述下电极层之外的部分中形成开槽；以及，

在所述开槽中填充所述介质层。