[发明专利]一种太阳能电池制造工艺及链式镀膜设备

权利要求书

1.一种太阳能电池制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1.选择N型晶体硅基体，对硅基体进行清洗、制绒；

S2.硼扩散制备PN结；

S3.清洗去除BSG层，并进行背面抛光；

S4.在N型晶体硅基体的背面生长一层隧穿氧化层，并在隧穿氧化层上沉积一层掺杂非晶硅层；

S5.在N型晶体硅基体的正面制备氧化铝+氮化硅叠层；

S6.退火，利用高温激活N型晶体硅基体背面的掺杂原子，使N型晶体硅的背面完成晶化形成掺杂多晶硅层，同时，充分激发正面氧化铝+氮化硅叠层的钝化能力；

S7.在N型晶体硅基体的背面沉积氮化硅减反保护层；

S8.在N型晶体硅基体的背面印刷银浆并烘干以形成背面主栅和背面副栅，正面印刷银铝浆并烘干以形成正面主栅和正面副栅，随后烧结，完成TOPCon太阳能电池的制备。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池制造工艺，其特征在于，步骤S4中，隧穿氧化层的厚度为0.5-2nm，掺杂非晶硅层的厚度为20-200nm。

3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述步骤S6中，退火工艺温度为500-900℃，退火时间为1-30min。

4.一种用于权利要求1-3任一项所述太阳能电池制造工艺的链式镀膜设备，其特征在于，包括一体连续设置的背面隧穿氧化层镀膜腔、背面掺杂非晶硅层镀膜腔、正面氧化铝层镀膜腔及正面氮化硅层镀膜腔，在同一设备中依次完成背面隧穿氧化层、背面掺杂非晶硅层、正面氧化铝层及正面氮化硅层的镀制。

5.一种太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1-3任一项所述的太阳能电池制造工艺制造而成。