[发明专利]显示面板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110157877.1 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN112987357A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 刘巍巍;范志翔 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/1335;G02F1/1343
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:

显示屏体,所述显示屏体包括不透明的挡光膜层结构;

光控层,所述光控层设置于所述显示屏体的出光侧,所述光控层包括光感传感器,所述光感传感器包括第一栅极、第一半导体层和第一源漏极层;

其中,所述第一栅极的至少一部分在所述显示屏体的出光面上的正投影与所述挡光膜层结构在所述显示屏体的出光面上的正投影重合。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述挡光膜层结构包括第一金属层和黑色矩阵层,所述第一栅极的至少一部分在所述显示屏体的出光面上的正投影与所述第一金属层在所述显示屏体的出光面上的正投影重合,或/和,所述第一栅极的至少一部分在所述显示屏体的出光面上的正投影与所述黑色矩阵层在所述显示屏体的出光面上的正投影重合。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述光控层还包括开关管,所述开关管包括第二栅极、第二半导体层和第二源漏极层;

其中,所述第二栅极与所述第一栅极同层设置且相间隔,所述第二半导体层与所述第一半导体层同层设置且相间隔,所述第二源漏极层与所述第一源漏极层连接。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二栅极的至少一部分在所述显示屏体的出光面上的正投影与所述第一金属层在所述显示屏体的出光面上的正投影重合,或/和,所述第二栅极的至少一部分在所述显示屏体的出光面上的正投影与所述黑色矩阵层在所述显示屏体的出光面上的正投影重合。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层包括第三栅极和公共电极;

其中,第三栅极和所述公共电极中的一者与所述第一栅极对应设置,第三栅极和所述公共电极中的另一者与所述第二栅极对应设置。

6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示屏体包括:

阵列基板,所述阵列基板包括第一衬底基板;

彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置,所述彩膜基板包括第二衬底基板;

其中,所述第一金属层设置于所述第一衬底基板靠近所述彩膜基板的一侧,所述黑色矩阵层设置于所述第二衬底基板靠近所述阵列基板的一侧。

7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅极和所述第二栅极设置于所述第二衬底基板远离所述阵列基板的一侧上,所述光控层还包括:

第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极;

第一钝化层,所述第一半导体层和所述第二半导体层设置于所述第一绝缘层上,所述第一源漏极层设置于所述第一半导体层和所述第一绝缘层上,所述第二源漏极层设置于所述第二半导体层和所述第二绝缘层上,所述钝化层覆盖所述第一半导体层、第二半导体层、第一源漏极层和第二源漏极层。

8.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅极在所述显示屏体的出光面上的正投影覆盖所述第一半导体层在所述显示屏体的出光面上的正投影,所述第二栅极在所述显示屏体的出光面上的正投影覆盖所述第二半导体层在所述显示屏体的出光面上的正投影。

9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板的制备方法包括:

S10、在第二衬底基板的一侧上形成驱动层,以形成彩膜基板,并在第二衬底基板远离所述驱动层的一侧上形成光控层,所述光控层包括光感传感器,所述光感传感器包括第一栅极、第一半导体层和第一源漏极层;

S20、将彩膜基板与阵列基板相对设置,彩膜基板上的驱动层朝向所述阵列基板;

S30、将彩膜基板与阵列基板进行拼装,以形成显示屏体,所述显示屏体包括不透明的挡光膜层结构,所述第一栅极的至少一部分在所述显示屏体的出光面上的正投影与所述挡光膜层结构在所述显示屏体的出光面上的正投影重合。

10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S10包括:

S11、在所述第二衬底基板的一侧上形成驱动层,以形成彩膜基板;

S12、在所述驱动层上形成保护层;

S13、将彩膜基板翻转,使得所述第二衬底基板远离所述驱动层的一侧朝上,在所述第二衬底基板远离所述驱动层的一侧上形成光控层。

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