[发明专利]一种LED晶圆良率检测方法在审
申请号: | 202110154903.5 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN112908884A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 竺时育;张梁;孙毅堂;陈云龙 | 申请(专利权)人: | 苏州众里数码科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L33/00;G01N21/95 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 周琼 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 晶圆良率 检测 方法 | ||
本发明公开了一种LED晶圆良率检测方法,包括以下步骤:S1、利用机器视觉捕捉模块捕捉待检测晶圆上与工艺缺陷特征模块中相同的晶圆缺陷特征;S2、通过晶圆缺陷处理模块统计并记录下待检测晶圆的缺陷特征位置及缺陷数目,并用红框和绿框区分有无缺陷的位置,红框表示晶圆存在缺陷特征的位置,绿框表示晶圆无缺陷特征的位置。本发明中,相较于现有的需要切割晶圆后再通过人工目视检查晶圆的良率检测方法而言,本发明无需切割晶圆即可预判晶圆良率,避免晶圆切割封装才发现良率异常的情况发生,提高晶圆检查效率,使得晶圆检查效率可以紧跟制造速度。
技术领域
本发明涉及晶圆良率检测技术领域,尤其涉及一种LED晶圆良率检测方法。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为 晶圆,在晶圆上,包含多个晶粒(d ie),其中部分晶粒为具有缺陷即无法使用的 不合格晶粒,其余部分为合格晶粒,而晶圆的良率则定义为:良率=合格的晶粒 /晶粒总数,作为晶圆代工厂商,往往需要为客户提供良率达到85%甚至90%以 上的晶圆产品,否则就会被客户判定为废片。
为了避免给客户提供的晶圆产品中产生废片,工厂在生产晶圆的过程中就会 设立一个个检测站,这些检测站设置在一些关键层次的工艺之后,工厂端对每片 晶圆分析给出一个预测的良率值,如果某片晶圆的预测良率值低于客户要求,则 在厂内进行报废,以防止流出对工厂造成更大的损失。
现有的晶圆良率检测方法通常是在晶圆生产结束后,将晶圆切割,通过人工 目视判断晶圆良率,然而,由于人工目视检查效率跟不上制造速度且容易疏漏, 故常常是晶圆切割封装好之后才发现有良率异常,造成封装浪费。
发明内容
为了解决上述背景技术中所提到的问题,而提出的一种LED晶圆良率检测方 法。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种LED晶圆良率检测方法,其特征在于,包括人工智能检测系统,所述人 工智能检测系统包括工艺缺陷特征模块、机器视觉捕捉模块、晶圆缺陷处理模块、 晶圆良率计算模块和结果显示模块:
所述工艺缺陷特征模块中记录有多种晶圆缺陷特征;
所述机器视觉捕捉模块用来捕捉待检测晶圆上的缺陷特征;
所述晶圆缺陷处理模块用来记录晶圆缺陷特征位置及缺陷数目;
所述晶圆良率计算模块用来计算晶圆预判良率值大小;
所述结果显示模块显示待检测晶圆的预判良率结果;
通过所述人工智能检测系统检测晶圆良率的方法,包括以下步骤:
S1、利用机器视觉捕捉模块捕捉待检测晶圆上与工艺缺陷特征模块中相同的 晶圆缺陷特征,通过部分晶圆水平、垂直方向像素平均最小值获取整体图片旋转 角度,旋转时四周填充黑像素保证图像完整性;
S2、通过晶圆缺陷处理模块,局部阈值分割、膨胀收缩获取检测部分,根据 特征挑选来剔除与晶圆相似的非检测区域,只留下晶圆检测区域;
通过水平、垂直方向像素平均最小值确定每个晶圆方框位置,卡尺工具检测 四边判断是否存在缺陷;
统计并记录下待检测晶圆的缺陷特征位置及缺陷数目,并用红框和绿框区分 有无缺陷的位置,红框表示晶圆存在缺陷特征的位置,绿框表示晶圆无缺陷特征 的位置;
S3、通过晶圆良率计算模块计算得到预判良率值:
其中,预判良率值计算公式为:
具体的,不合格晶粒数—缺陷数目,晶粒总数为已知量;
S4、通过结果显示模块显示待检测晶圆的预判良率结果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造