[发明专利]微流体喷射芯片、及喷射头与分配装置

权利要求书

1.一种微流体喷射芯片，包括具有流体通道的硅衬底、操作层、以及流体喷射元件，其中所述操作层和所述流体喷射元件贴合到所述硅衬底上的装置表面，

所述流体通道由所述硅衬底的硅侧壁界定，所述硅侧壁以及紧邻所述流体喷射元件的所述操作层和所述硅侧壁之间的转角被永久钝化层覆盖，以保护所述硅侧壁免暴露于酸性流体，其中所述永久钝化层在对所述硅衬底的刻蚀结束时保留在所述硅侧壁上以形成所述流体通道，

其中所述操作层被配置成提供所述流体喷射元件到柔性电路的电连接，

所述硅侧壁和所述永久钝化层的每一者在所述硅衬底处围绕所述流体通道的周界连续地延伸。

2.根据权利要求1所述的微流体喷射芯片，其中所述硅侧壁及所述永久钝化层中的每一者围绕所述流体通道的周界连续地延伸，以保护所述硅侧壁免暴露于所述酸性流体。

3.根据权利要求1所述的微流体喷射芯片，其中所述永久钝化层是碳氟化合物层。

4.根据权利要求1所述的微流体喷射芯片，其中所述永久钝化层是在对所述硅衬底的深反应离子刻蚀的每次迭代之后在所述硅侧壁的任何被暴露出的部分之上形成。

5.根据权利要求1所述的微流体喷射芯片，其中所述永久钝化层是使用C₄F₈气体的沉积在所述硅侧壁之上形成的碳氟化合物层。

6.根据权利要求1所述的微流体喷射芯片，其中所述酸性流体是具有氢氟酸/硝酸的成分的试剂。

7.一种微流体喷射头，包括：

喷嘴板；以及

微流体喷射芯片，连接到所述喷嘴板，其中所述微流体喷射芯片包括具有流体通道的硅衬底、操作层、以及流体喷射元件，其中所述操作层和所述流体喷射元件贴合到所述硅衬底上的装置表面，所述流体通道由所述硅衬底的硅侧壁界定，所述硅侧壁以及紧邻所述流体喷射元件的所述操作层和所述硅侧壁之间的转角被永久钝化层覆盖，以保护所述硅侧壁免暴露于酸性流体，

其中所述操作层被配置成提供所述流体喷射元件到柔性电路的电连接，

所述硅侧壁和所述永久钝化层的每一者在所述硅衬底处围绕所述流体通道的周界连续地延伸。

8.根据权利要求7所述的微流体喷射头，其中所述硅侧壁及所述永久钝化层中的每一者围绕所述流体通道的周界连续地延伸，以保护所述硅侧壁免暴露于所述酸性流体。

9.根据权利要求7所述的微流体喷射头，其中所述永久钝化层是碳氟化合物层。

10.根据权利要求7所述的微流体喷射头，其中所述永久钝化层是在对所述硅衬底的深反应离子刻蚀之后在所述硅侧壁之上形成。

11.根据权利要求7所述的微流体喷射头，其中所述永久钝化层是使用C4F8气体的沉积在所述硅侧壁之上形成的碳氟化合物层。

12.根据权利要求7所述的微流体喷射头，其中所述酸性流体是具有氢氟酸/硝酸的成分的试剂。

13.根据权利要求7所述的微流体喷射头，其中所述酸性流体的酸性组分是浓度为所述酸性流体的体积的百分之一到百分之三的氢氟酸/硝酸。