[发明专利]一种高频全控开关变匝比电流电压自控变压器有效
| 申请号: | 202110150009.0 | 申请日: | 2021-02-03 |
| 公开(公告)号: | CN112951566B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
| 发明(设计)人: | 李文波;高亚晨;徐宏;孙换春;梁得亮;柳轶彬;李大伟;周堃;蔡生亮;张立石;王宇珩 | 申请(专利权)人: | 陕西省地方电力(集团)有限公司延安供电分公司;西安交通大学 |
| 主分类号: | H01F27/40 | 分类号: | H01F27/40;H01F27/38;H01F29/00 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 王艾华 |
| 地址: | 716000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高频 开关 电流 电压 自控 变压器 | ||
1.一种高频全控开关变匝比电流电压自控变压器,其特征在于,包括三相变压器本体(1),所述三相变压器本体(1)包括一次侧绕组和二次侧绕组,所述一次侧绕组串联有一次侧补偿绕组;
每一相中一次侧绕组连接有高频全控开关(2),高频全控开关(2)的另一端和另一相的补偿绕组末端连接;所述二次侧绕组和负载连接,二次侧绕组并联有二次侧绕组高频变换器(3);
每一相中的高频全控开关(2)包括两个子开关,一个子开关首端连接在该相一次侧绕组的首端,另一个子开关的首端连接在该相一次侧绕组的末端;两个开关的尾端连接,两个开关的尾端连接至另一相补偿绕组的末端;
每一个子开关包括两个反向串联的IGBT功率器件;
所述二次侧绕组高频变换器(3)包括串联变流器(5)、低通滤波器(4)和直流母线电容(6);所述低通滤波器(4)的一端和二次侧绕组连接,另一端和串联变流器(5)连接,串联变流器(5)和直流母线电容(6)并联;
所述低通滤波器(4)包括三个滤波电感和三个滤波电容,每一个滤波电感连接有一个滤波电容,三个滤波电容以星形接法和变压器二次侧绕组连接,三个滤波电容的末端连接至串联变流器(5)的中性点;
每一个滤波电容串联有一个滤波电感,三个滤波电感均连接至串联变流器(5);
所述串联变流器(5)包括四个并联的半桥结构,每一个半桥结构包括有两个IGBT串联组成;
三个半桥结构的桥臂处分别和三个滤波电感连接,一个半桥结构的桥臂为中性点。
2.根据权利要求1所述的一种高频全控开关变匝比电流电压自控变压器,其特征在于,两个子开关通过PWM调节占空比。
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