[发明专利]一种二维半导体材料SnSe2

权利要求书

1.一种二维半导体材料SnSe₂单晶的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤(1)、将Se粉和Sn粉混合均匀，装入石英管内，放入单质碘，先将石英管预抽真空，再充入氩气洗气，直至排净空气，将石英管内气压抽至≤0.1mbar，封管；其中，单质碘的重量与Se粉和Sn粉的总重量之比为(0.02-0.05):1；

步骤(2)、将石英管放入双温区管式炉中，将装有原料的一端置于高温区且另一端置于低温区，设置炉温：双温区的温度均为560℃，恒温放置1天；再将低温区的温度降低到550℃，高温区的温度保持在560℃，高温区和低温区的温度差保持10℃，在该温差下保持5天；再在保持高温区和低温区的温度差为10℃的状态下降温；

步骤(3)、从双温区管式炉中取出石英管，得到片状SnSe₂单晶。

2.根据权利要求1所述的二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法，其特征在于：所述的石英管的一端密闭，另一端敞口，混合均匀的Se粉和Sn粉、单质碘装于石英管密闭端。

3.根据权利要求1所述的二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，Se粉和Sn粉按照摩尔比2:1混合均匀。

4.根据权利要求1 所述的二维半导体材料SnSe₂单晶的制备方法，其特征在于：所述的Se粉为单质硒粉，所述的Sn粉为单质锡粉；所述的单质碘为碘球。

5.根据权利要求1 所述的二维半导体材料SnSe₂单晶的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，封管时，石英管45°倾斜使密闭端的高度低于敞口端。

6.根据权利要求1所述的二维半导体材料SnSe₂单晶的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，设置炉温：双温区均以30℃/h的速度加热至温度560℃，恒温放置1天；低温区以2℃/h的速率降低到550℃，高温区保持在560℃，高温区和低温区的温度差保持10℃，在该温差下保持5天；再在保持高温区和低温区的温度差为10℃的状态下，以10℃/h的速度降温。