[发明专利]半导体装置

说明书

本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括源极结构与漏极结构位于基板上。半导体装置还包括源极通孔电性耦接至源极结构；以及漏极通孔电性耦接至漏极结构。源极通孔具有第一尺寸，漏极通孔具有第二尺寸，且第一尺寸大于第二尺寸。半导体装置亦可包含电性耦接至源极通孔的第一金属线路，以及电性耦接至漏极通孔的第二金属线路。源极通孔的第一尺寸符合第一金属线路的尺寸，而漏极通孔的第二尺寸符合第二金属线路的尺寸。第一金属线路可鄙第二金属线路宽。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路与半导体装置与其形成方法，尤其涉及接点电阻降低的半导体装置。

背景技术

集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。在集成电路的演进中，功能密度(如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(如采用的制作工艺所产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小通常有利于增加产能并降低相关成本。

尺寸缩小亦增加处理与制造集成电路的复杂度。为了实现这些进展，集成电路的处理与制造亦须类似发展。举例来说，应理解着陆在源极/漏极接点与金属线路上的的通孔可能承受高电阻的问题。这些高电阻为较小的技术节点的具体问题，其可能抵消节点尺寸缩小的效能改善。综上所述，虽然现有的内连线技术通常是用于其发展目的，但无法满足所有方面的需求。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。

本发明一实施例提供的半导体装置包括源极结构与漏极结构位于基板上。半导体装置还包括源极通孔电性耦接至源极结构，以及漏极通孔电性耦接至漏极结构。源极通孔具有第一尺寸，漏极通孔具有第二尺寸，且第一尺寸大于第二尺寸。

本发明一实施例提供的半导体装置包括半导体基板；栅极结构，沿着第一方向延伸于半导体基板上；以及第一源极/漏极结构位于栅极结构的第一侧上，与第二源极/漏极结构位于栅极结构的第二侧上。半导体装置还包括第一接点结构位于第一源极/漏极结构上，与第二接点结构位于第二源极/漏极结构上。此外，半导体装置包括第一通孔结构位于第一接点结构上，与第二通孔结构位于第二接点结构上。第一通孔结构具有沿着第一方向的第一尺寸，第二通孔结构具有沿着第一方向的第二尺寸，且第一尺寸与第二尺寸不同。

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括接收半导体结构。半导体结构具有源极接点结构以电性连接至鳍状结构上的源极结构，以及漏极接点结构以电性连接至鳍状结构上的漏极结构。方法还包括蚀刻漏极通孔沟槽于漏极接点结构上；沉积形成漏极通孔于漏极通孔沟槽中；蚀刻源极通孔沟槽于源极接点结构上；以及沉积形成源极通孔于源极通孔沟槽中。

本发明实施例的有益效果在于，源极通孔与金属线路之间的界面所用的表面积，以及漏极通孔与金属线路之间的界面所用的表面积可分别最大化。具体而言，界面的表面积大于界面的表面积。如上所述，源极侧上的接点电阻(界面表面积的函数)比漏极侧上的接点电阻关键。增加界面的尺寸会降低装置的整体电阻，而不过度阻碍尺寸小型化的整体目标。

附图说明

图1A为本发明多种实施例中，集成电路装置的平面图。

图1B及图1C为本发明多种实施例中，图1A的集成电路装置的部分放大图。

图2A至图12A与图2B至图12B为本发明多种实施例中，集成电路装置于多种制作阶段的剖视图。

图13为本发明多种实施例中，制作半导体装置的方法的流程图。

附图标记如下：

A-A',B-B':剖线

MD:源极/漏极接点结构

100:集成电路装置

102:基板