[发明专利]一种适用于HBC电池的硼扩散方法有效
申请号: | 202110140582.3 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN113066894B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 欧文凯 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/223 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博;卓彩霞 |
地址: | 221399 江苏省徐州市高新技*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 hbc 电池 扩散 方法 | ||
1.一种适用于HBC电池的硼扩散方法,其特征是,包括以下步骤:
(1)进舟:将硅片放置于舟内,进行进舟步骤,进舟时,炉管温度为700-750℃,同时保持2000sccm N2进行持续吹扫;采用水平扩散方式,利用重力挤压方式将硅片背靠背放置于水平槽内;
(2)升温与检漏:舟进入炉管后进行加热升温,目标温度800-850℃,升温同时抽真空,完成抽空后,关闭真空泵进行真空检漏,检漏要求<5mbar/min,完成检漏后,打开真空泵,调节炉管压力,目标真空度为100-500mbar;
(3)预氧化:到达目标温度和目标真空度后,通入2000sccm-10000sccm氧气,进行预氧化,通入时间10-30min;
(4)抽空:完成氧化后,将炉管抽空,抽空时间3-10min,目标压力<200mabr;
(5)通硼源沉积:通入BCl3气体和O2,气体体积比例为BCl3∶O2=1∶1~1∶3,通入时间为5-20min;
(6)升温:完成通源沉积后进行炉管抽空,目标压力<100mbar,完成抽空后进行加热升温,目标温度1000℃;
(7)推进:到达目标温度后,采用N2,O2交叉通入推进;每次N2推进时间∶O2推进时间=1∶2~1∶3,每次推进,使用N2流量为3SLM~10SLM,O2流量为5SLM~20SLM,进行循环推进,推进次数在2-5次;
(8)降温出舟:降温,出舟,完成扩散过程。
2.根据权利要求1所述的一种适用于HBC电池的硼扩散方法,其特征是,步骤(2)中,升温速率为10℃/min。
3.根据权利要求1所述的一种适用于HBC电池的硼扩散方法,其特征是,步骤(7)中,到达目标温度1000℃后,通入氮气3000sccm,通入10min;通入氧气5000sccm,通入25min;通入氮气3000sccm,通入10min;通入氧气5000sccm,通入25min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的